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仕様RAシリーズ調整可能な巻線型抵抗器50及び180 W. シリーズは、セラミック対応チューブ、確かな高熱放散性、想定される高温及び負荷への耐久性を備えています。 抵抗ワイヤはエナメルコーティングにより保護されています。 長さ方向のウィンドウにより、タブ端子付きのスライダカラーで単数又は複数の電気コンタクトが可能になります。 シリーズRA20117 定格電力(W)50 許容差±10% RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-55~+350 終端スタイルネジ パッケージ/ケースBO10 テクノロジー巻線
1個
25,980 税込28,578
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仕様抵抗 = 22Ω定格電力 = 25Wシリーズ = RCH25パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = ネジ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃シャーシシリーズRCH 25 W用の抵抗器. Vishay Sfernice 25 W RCH25シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態に絶えるように設計されています。 厚いコーティングで無誘導性 熱放射が低い RH巻線型抵抗器と同等の継手 高周波動作やカットアウト回路に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,798 税込3,078
7日以内出荷

仕様抵抗 = 12Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50温度係数 = ±150ppm/℃終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = TO-220長さ = 10.1mm奥行き = 4.5mm高さ = 15mmリード径 = 0.8mm50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃) RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,698 税込1,868
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仕様抵抗 = 10Ω許容差 = ±5%定格電力 = 200W終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = BA25テクノロジー = 巻線取り付け仕様 = ボルトオンケーススタイル = ほうろうシリーズ = RSSD寸法 = 27 (Dia.) x 168mm直径 = 27mm長さ = 168mm構造 = 巻線取り付けブラケットは別売り: SN < 7885167&#x27;) 7885167/ - 10 x 50 mm (25 W)用、SN < 7885151&#x27;) 7885151/ - 20 x 117 mm (100 W)用、SN < 7885154&#x27;) 7885154/ - 25 x 168 mm (200 W)用、SN < 7885160&#x27;) 7885160/ - 30 x 250 mm (280 W)用. 25 → 280 W RSSDシリーズ. VishayのRSSDシリーズの巻線型抵抗器は、抵抗値が低く、ドリフトが長期的に非常に安定したソリューションとなります。 この巻線型抵抗器は、振動、過酷なトランジェント条件及び厳しい熱衝撃に耐えることができ、高定格電力を実現しています。. 高散逸性 重過負荷 優れた熱ストレス耐性 耐火性 調整可能なカラーによってタップを設定 標準RSSDは調整可能な単一カラーを装備 RoHS指令(10物質対応)対応
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17,980 税込19,778
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1個ほか
特価
9,998 税込10,998
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仕様抵抗 = 10Ω定格電力 = 25Wシリーズ = RCH25パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = ネジ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃シャーシシリーズRCH 25 W用の抵抗器. Vishay Sfernice 25 W RCH25シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態に絶えるように設計されています。 厚いコーティングで無誘導性 熱放射が低い RH巻線型抵抗器と同等の継手 高周波動作やカットアウト回路に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,798 税込3,078
7日以内出荷

仕様抵抗 = 150Ω定格電力 = 50Wシリーズ = RCH50パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = はんだタブ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
4,398 税込4,838
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仕様抵抗 = 22Ω定格電力 = 50Wシリーズ = RCH50パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = はんだタブ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,298 税込3,628
7日以内出荷

仕様抵抗 = 100Ω定格電力 = 1.1kWシリーズ = LPS1100パッケージ/ケース = セラミック、平面SMD許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = ネジ温度係数 = 150ppm/℃寸法 = 57 x 60mm1100 W LPS1100シリーズ. Vishay LPS 1100シリーズは、ヒートシンク上に取り付ける電力抵抗器です。 厚膜技術を導入したLPS 1100シリーズは、取り付けが簡単で、ケースからの熱放射を低減する無誘導抵抗器です。 産業、輸送、医療、HEV / EVなどの用途に適しています。. 高出力: 最大1100 W @ 25 ℃ 小型、低プロファイル: 57 mm x 60 mm 無誘導: < 0.1 μH 高絶縁耐力: 最大12 kVRMS 軽量: 79 g RoHS指令(10物質対応)対応
1個
32,980 税込36,278
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仕様抵抗 = 2.2Ω定格電力 = 25Wシリーズ = RCH25パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = ネジ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃シャーシシリーズRCH 25 W用の抵抗器. Vishay Sfernice 25 W RCH25シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態に絶えるように設計されています。 厚いコーティングで無誘導性 熱放射が低い RH巻線型抵抗器と同等の継手 高周波動作やカットアウト回路に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,798 税込4,178
7日以内出荷

仕様抵抗 = 15Ω定格電力 = 50Wシリーズ = RCH50パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = はんだタブ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,998 税込4,398
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仕様抵抗 = 56Ω定格電力 = 50Wシリーズ = RCH50パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = はんだタブ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
4,398 税込4,838
7日以内出荷

仕様抵抗 = 2.2Ω定格電力 = 50Wシリーズ = RCH50パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = はんだタブ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,598 税込3,958
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仕様抵抗 = 1.5Ω定格電力 = 50Wシリーズ = RCH50パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = はんだラグ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,498 税込2,748
7日以内出荷

仕様抵抗 = 1Ω定格電力 = 800Wシリーズ = LPS800許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = ネジ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +175℃最小温度係数 = -300ppm/℃最大温度係数 = +300ppm/℃温度係数 = ±300ppm/℃LPS800シリーズ800 W厚膜電力抵抗器. LPS800シリーズ800 W厚膜電力抵抗器は、ヒートシンクに取り付けることができるように開発されています。 これらのLPS800電力抵抗器は、定格800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)で、ケースからの熱放射が低く、0.3~900 kΩの幅広い抵抗範囲を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様抵抗 = 1.2kΩ定格電力 = 25Wシリーズ = RCH25パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = ネジ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃シャーシシリーズRCH 25 W用の抵抗器. Vishay Sfernice 25 W RCH25シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態に絶えるように設計されています。 厚いコーティングで無誘導性 熱放射が低い RH巻線型抵抗器と同等の継手 高周波動作やカットアウト回路に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,898 税込4,288
7日以内出荷

仕様抵抗 = 1kΩ定格電力 = 25Wシリーズ = RCH25パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = ネジ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -150ppm/℃最大温度係数 = +150ppm/℃温度係数 = ±150ppm/℃シャーシシリーズRCH 25 W用の抵抗器. Vishay Sfernice 25 W RCH25シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態に絶えるように設計されています。 厚いコーティングで無誘導性 熱放射が低い RH巻線型抵抗器と同等の継手 高周波動作やカットアウト回路に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,398 税込3,738
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仕様抵抗 = 330mΩ定格電力 = 50Wシリーズ = RCH50パッケージ/ケース = S06許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜終端スタイル = はんだタブ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -250ppm/℃最大温度係数 = +250ppm/℃温度係数 = ±250ppm/℃50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,198 税込3,518
7日以内出荷

抵抗 = 1kΩ。テクノロジー = 巻線。パッケージ/ケース = 4257 ( 11070M。許容差 = ±1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±20ppm/℃。シリーズ = WSC。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +275℃。WSC4527巻線型2 W. Vishay WSC4527シリーズの表面実装型の抵抗器は、高い定格電力と優れた耐サージ性能を備えています。 成形カプセル化とラップアラウンド終端が施された総溶接構造になっているので、異なる環境条件に対する保護に役立ちます。 これらの抵抗器は、アイルトン・ペリー巻線付きの無誘導型です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
369 税込406
5日以内出荷

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 100W。シリーズ = RPH100。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -300ppm/℃。最大温度係数 = +300ppm/℃。100 W厚膜型の電力抵抗器. Vishay Sfernice RPH100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器 この新しいエンクロージャは、RCH製品の拡張版として開発されました。 無誘導性 過負荷及びエンクロージャからの低熱放射に対応
RoHS指令(10物質対応)対応 公称抵抗値(Ω)100m
1個
9,998 税込10,998
5日以内出荷

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値
1個
1,898 税込2,088
5日以内出荷

抵抗 = 10mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10mΩ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,598 税込1,758
5日以内出荷

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値47Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,598 税込1,758
5日以内出荷

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,798 税込1,978
5日以内出荷

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値4.7Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
5日以内出荷

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値22Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,598 税込1,758
5日以内出荷

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値100mΩ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,598 税込1,758
5日以内出荷

抵抗 = 20Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値20Ω
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

抵抗 = 25Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値25Ω
1個
1,498 税込1,648
5日以内出荷

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値22Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値100Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10Ω
1個
1,998 税込2,198
5日以内出荷

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10kΩ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,298 税込1,428
5日以内出荷

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値4.7Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,798 税込1,978
5日以内出荷

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値1kΩ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
5日以内出荷

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値50Ω
1個
1,998 税込2,198
5日以内出荷

抵抗 = 2.2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値2.2Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,298 税込1,428
5日以内出荷

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値100Ω RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
5日以内出荷

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