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抵抗 = 1MΩ。定格電力 = 0.5W。許容差 = ±0.02%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = CNS020。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。高精度薄膜抵抗器CNS020シリーズ. 高精度で非常に優れた安定性 非常に低い温度係数 小型で優れた定格電力 安定性の高いニクロム薄膜素子

抵抗 = 10MΩ。定格電力 = 0.5W。許容差 = ±0.02%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = CNS020。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。高精度薄膜抵抗器CNS020シリーズ. 高精度で非常に優れた安定性 非常に低い温度係数 小型で優れた定格電力 安定性の高いニクロム薄膜素子

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMP。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMP。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 45A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 65A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 75A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 75A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

静電容量 = 2200μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 35mm。高さ = 35mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 10000h。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 1000μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 20mm。高さ = 20mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 7000h。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 90V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-213AB。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 75A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 65A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 520mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 680mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

静電容量 = 100μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 16mm。高さ = 16mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 5mm。漏れ電流 = 63 μAmA。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 120A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 75A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

静電容量 = 470μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 25mm。高さ = 25mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 10000h。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 470μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 (Dia.) x 25mm。高さ = 25mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 12.5mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 3300μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 35mm。高さ = 35mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 7.5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

抵抗 = 0Ω。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2010 (5025M)。許容差 = ±0%。定格電力 = 0.5W。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2010型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

静電容量 = 220μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 16mm。高さ = 16mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 6000h。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 680mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 120A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。高性能ショットキー整流器、1 → 1.5 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductorのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

静電容量 = 470μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 35mm。高さ = 35mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 7.5mm。漏れ電流 = 470 μAA。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 220μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 (Dia.) x 20mm。高さ = 20mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 12.5mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 1000μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 31mm。高さ = 31mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 7.5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = Quadro MiniMelf。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = -0.05 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZT55シリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

抵抗 = 50mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2512型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

抵抗 = 40mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2512型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造