「100a ホース」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = HVMDIP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 4。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 1.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.29mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 88 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 28 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 77 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 41 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 230 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

抵抗 100Ω。許容差 ±5%。定格電力 100W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 フランジ取り付け。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 22 117mm。直径 22mm。長さ 117mm。動作温度 Min -55℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

抵抗 10Ω。許容差 ±5%。定格電力 100W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 フランジ取り付け。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 22 117mm。直径 22mm。長さ 117mm。構造 巻線℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

抵抗 47Ω。許容差 ±5%。定格電力 100W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 フランジ取り付け。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 22 117mm。直径 22mm。長さ 117mm。動作温度 Min -55℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

抵抗 4.7Ω。許容差 ±10%。定格電力 100W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 フランジ取り付け。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 22 117mm。直径 22mm。長さ 117mm。動作温度 Min -55℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

抵抗 22Ω。許容差 ±5%。定格電力 100W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 フランジ取り付け。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 22 117mm。直径 22mm。長さ 117mm。動作温度 Min -55℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor