「100ns」の検索結果

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = QFN。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 0.9mm。標準上昇時間 = 100ns

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 950nm。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 3mm。高さ = 6.4mm。標準上昇時間 = 100ns。BPW83シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBPW83シリーズはPINフォトダイオードのファミリです。 これらの製品は、昼光フィルタの付いた側方監視の黒色プラスチック製パッケージに収納されているので、周囲の可視光を遮断します。 BPW83フォトダイオードに最適な用途: 高速な赤外線検出器、空間データ伝送システム及び赤外線リモコン. BPW83 PINフォトダイオードの特長: スルーホール取り付け サイドビュー 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 5mm。高さ = 1.12mm。標準上昇時間 = 100ns。TEMD51x0シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのこのファミリのPINフォトダイオードは、表面実装(SMD)上方監視パッケージに収納されています。 高速と高感度を実現し、870 → 950 nmの波長で動作します。 TEMD51x0シリーズに適した用途には、赤外線放射検出器、赤外線リモート制御、データ転送システムなどがあります。. TEMD51x0フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.25 x 1.12 各種の放射検出面積 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 870nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5.4mm。幅 = 4.3mm。高さ = 3.2mm。絶縁破壊電圧 = 60V。BP104シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBP104シリーズはPINフォトダイオードのグループです。昼光フィルタ付きフラットトップのプラスチック製小型パッケージに収納されています。BP104シリーズに適した用途には、高速の赤外線検出器、赤外線リモコン、空間データ伝送システムなどがあります。BP104は、TSALシリーズの赤外線エミッタと併用できます。. BP104 PINフォトダイオードの特長: トップビューパッケージ 寸法: 5.4 x 4.3 x 3.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 4.24mm。高さ = 1.12mm。自動車規格 = AEC-Q101V。TEMD5010シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5010シリーズのシリコンPINフォトダイオードです。小型表面実装(SMD)パッケージに収容されており、感知面積が7.5 mm2のチップを搭載しています。TEMD5010は、可視光と近赤外線をどちらも検知します。高速光検出器用途に最適です。. TEMD5010フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 高い放射感度 高感光性 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 500ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 150ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 490mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 10ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

検出スペクトル = 赤外線， 紫外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 350nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 40ns。長さ = 5mm。幅 = 5mm。高さ = 1.12mm。標準上昇時間 = 40ns。TEMD5080シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5080シリーズは、青色光の感度を高めたPINフォトダイオードファミリです。透明エポキシの小型SMDパッケージに収容されています。このパッケージには、感知面積が7.7 mm2のチップが搭載されています。TEMD5080は、高速光検出器用途に最適です。. TEMD5080フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 青色光の感度を向上 高速な応答時間

検出スペクトル = 近赤外線放射、可視赤外線放射。ピーク感度波長 = 920nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。増幅機能 = なし。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 380nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 2.5ns。長さ = 8.6mm。幅 = 5mm。直径 = 5mm。標準上昇時間 = 2.5ns。BPV10シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductors製のBPV10シリーズは、標準の5mm (T-1 3/4)のプラスチック製パッケージに収納されたPINフォトダイオードです。 可視光線と近赤外線の放射を両方とも感知します。. BPV10 PINフォトダイオードの特長: 高速 高い放射感度 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 放射検出面積: 0.78 mm2 高速な応答時間