「200 20a」の検索結果

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.11V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. Vishay VS-26MB シリーズブリッジ整流器. 超コンパクトな密閉型単相製品です ブリッジ整流器で効率的かつ信頼性の高い動作を実現 これらは、一般的な目的や用途で使用することを目的としています 計装用途. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース センター穴固定 優れたパワー / ボリューム比 UL E300359 認定 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーではんだ付け可能 はんだ、はんだ合金 Sn / Ag / Cu ( SAC305 )、はんだ 温度： 260 → 275 ° C 工業レベルの設計と認定を受けている

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール

標準ツェナー電圧 = 200V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = DO-204AL。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 1500Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、Z4KE100A - Z4KE200Aシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化電力電圧調整式ダイオード プラスチックMELFパッケージ 自動位置決めに最適 低ツェナーインピーダンス 低調整定数 AEC-Q101認定

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 100、000 pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 5 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % ス

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。この軸流セラミックコンデンサは、静電容量が -55+160 ℃ となっていますこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 5 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズめっき銅

インダクタンス = 8.2 μH。最大直流電流 = 20A。実装タイプ = ラジアル。最大直流抵抗 = 6.14mΩ。許容差 = ±20%。直径 = 19.17mm。高さ = 8.7mm。寸法 = 19.17 (Dia.) x 8.7mm。最大自己共振周波数 = 11.6MHz。リード間隔 = 10.84mm。シリーズ = IHTH-0750IZ-5A。リード径 = 1.2mm。AEC-Q200認定. IHTH0750高電流スルーホール、高温度インダクタ. 車載用途向けのIHTHシリーズ高電流スルーホール、高温インダクタです。 これらのインダクタはシールド付き構造になっており、最高で1 MHzの優れたDC/DCエネルギー蓄積機能を備えています。 IHTHインダクタは、飽和せずに高い過渡電流スパイクを処理します。また、コンポジット構造になっているので、電磁騒音を極めて低く抑えられます。 このIHTH高電流インダクタは、2ピン(0.47 → 22 uH)と3ピン(33 → 100 uH)を備えています。. 用途. ディーゼル噴射ドライバ エンジン / トランスミッションの制御ユニット 娯楽 / ナビゲーションシステム用のDC/DCコンバータ モータ用のノイズ抑制 - フロントガラスのワイパー - パワーシート - パワーミラー - HID照明 - 暖房 / 換気ブロワー LEDドライバ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D 63。ピン数 = 5。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.26V。ピーク逆電流 = 100μA。寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm。高さ = 10mm。UL、E300359認定. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 三相ブリッジ整流器電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定フォロシャーシ取り付け 優れたパワー / ボリューム比

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 274V。最小ブレークダウン電圧 = 190V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 171V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 2.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、P6SMBシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-220AA。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 980mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ピーク平均順方向電流 = 200A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = INT-A-PAK。ピン数 = 6。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.49V。ピーク逆電流 = 10mA。長さ = 94mm。幅 = 35mm。ULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 200V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。長さ 17.5mm。高さ 15mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピーク平均順方向電流 = 200A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = INT-A-PAK。ピン数 = 6。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.49V。ピーク逆電流 = 10mA。寸法 = 94 x 35 x 30mm。幅 = 35mm。ULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.6mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 12A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.87mm。UL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 70A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.35V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-219AD。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-203AB。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.95V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 200ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。高速回復整流器(20 A超)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長：. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性： IEC92.1 UL94VO > 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 4.7μF。電圧 = 20V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 500ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 470000pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 10 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 150ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピークオフステート電流 = 15mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ