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Vishay 終端スタイルは、3 辺ラップアラウンド終端又はで構成されています シングル終端フリップチップ規格 5 面ラップアラウンド終端が用意されています最大 3000 V の高電圧 フローはんだ付け可能 カスタムサイズを用意

Vishay 終端スタイルは、3 辺ラップアラウンド終端又はで構成されています シングル終端フリップチップ規格 5 面ラップアラウンド終端が用意されています最大 3000 V の高電圧 フローはんだ付け可能 カスタムサイズを用意

抵抗 = 200mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2512型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

抵抗 = 200mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2010 (5025M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL...18 High Power。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2010型WSL..18シリーズ. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成 厳選された安定素材により高い定格電力を実現(2 x 標準WSL定格) 総溶接構造

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 200W。シリーズ = RTOP200V。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -300ppm/℃。最大温度係数 = +300ppm/℃。100 W / 200 W厚膜型の電力抵抗器 - RTOPシリーズ. Vishay Sfernice RTOPシリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はSOT-227Bパッケージに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、25 ℃で100 W (RTOP 100)又は200 W (RTOP 200)の放熱が可能

Vishay 200 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

MCS 0402、MCT 0603、MCU 0805、MCA 1206 業務用薄膜フラットチップ抵抗器は、信頼性と安定性が重要視される現代の業務用電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途は、通信、医療機器、ハイエンドコンピュータ、オーディオ / ビデオ電子機器などです。優れた総合的な安定性：クラス 0.5 業務用抵抗値許容差： ± 0.5 % 及び ± 1 % 損失 p70 はサイズ

VishayPHPAシリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセスによって制限されます。高出力チップ抵抗器と同様に、発生した熱を除去するAbilityは、デバイスの全体的な性能に不可欠です。窒化タンタル材料抵抗範囲：10Ω→30.1kΩ電圧係数<：0.1ppm/V動作電圧：200V動作温度範囲：-55→+155℃ノイズ<：-30dB

MCS0402、MCT0603、MCU0805、MCA1206業務用薄膜フラットチップ抵抗器は、信頼性と安定性が重要視される現代の業務用電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途は、通信、医療機器、ハイエンドコンピュータ、オーディオ/ビデオ電子機器などです。優れた総合的な安定性：クラス0.5業務用抵抗値許容差：±0.5%及び±1%損失p70はサイズ1206で最大0.4Wとなっています耐硫化性用途自動車電気通信医療機器産業機器

抵抗 200Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0402 (1005M)。許容差 ±1%。定格電力 0.063W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 → 9.76 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402 パッケージサイズ 抵抗値の範囲が Ω 10 Ω のものを用意。 保護オーバーグレーズ 優れた安定性( +70 C Δ R/R 1 が 1000 時間持続) 55 C +155 C の広い動作温度範囲 許容差 1% 0603 サイズに対応した mm ピッチパッケージオプション ニッケルバリア層の純スズはんだコンタクトにより、鉛( Pb )フリー及び鉛含有はんだプロセスに対応 高品質セラミックにメタルグレーズ AEC-Q200 認定. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 6032-28。等価直列抵抗 = 200mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 6mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 8%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 47μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 200mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。電解質の種類 = ソリッド℃。誘電正接 = 6%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

センサータイプ = 近接センサー。センシング距離 = 200mm。スイッチングモード = デジタル。出力タイプ = デジタル、オープンドレイン。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大供給電流 = 200 mA (IREDパルス)。寸法 = 4 x 2 x 1.1mm。高さ = 1.1mm。長さ = 4mm。幅 = 2mm。VCNL4040、近接 / 周辺光センサ、Vishay Semiconductors. VCNL4040は、完全集積型の近接 / 周辺光センサです。 このパッケージには、赤外線エミッタが搭載されています。. I2Cシリアル通信インターフェイス 有効分解能: 16ビット 強力な背景光除去(太陽光など) 割り込み機能の出力を設定可能 動作電圧: 2.5 V → 3.6 V

静電容量 = 20pF。電圧 = 250V dc。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = C0G (NP0)

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 22μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 200mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = 593D。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(マイナス) = -10%。593Dシリーズ. Vishay 593Dソリッドタンタルコンデンサは、低プロファイルのTantamount表面実装チップで、コンフォーマルコーティングが施されています。 593Dシリーズは、幅広い静電容量と電圧等級を用意しているので、低ESR及び最大CVが実現します。この製品は幅広い用途に適しています。 タンタルコンデンサは体積効率、安定した電気特性、高い信頼性、長寿命が重要視される用途に最適です。. 表面実装 高温定格

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 6032-28。等価直列抵抗 = 200mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 6mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mm。シリーズ = 593D。電解質の種類 = ソリッド℃。誘電正接 = 8%。593Dシリーズ. Vishay 593Dソリッドタンタルコンデンサは、低プロファイルのTantamount表面実装チップで、コンフォーマルコーティングが施されています。 593Dシリーズは、幅広い静電容量と電圧等級を用意しているので、低ESR及び最大CVが実現します。この製品は幅広い用途に適しています。 タンタルコンデンサは体積効率、安定した電気特性、高い信頼性、長寿命が重要視される用途に最適です。. 表面実装 高温定格

静電容量 = 100pF。電圧 = 200V dc。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = C0G (NP0)。Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

抵抗 = 20mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2512型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

抵抗 = 20mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 4257 ( 11070M。許容差 = ±1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSR2。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +275℃。WSR2パワーメタルStripR 2 W. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適

抵抗 = 20mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSLP。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。1206型WSLPシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

抵抗 20mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 19 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.67mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 23 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 280 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor