「3v-600」の検索結果

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 4ピン数 = 16パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 3750 V ac最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 50%シリーズ = TCMTオプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 4.7μF電圧 = 35V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 600mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = TR3電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

定格平均オン電流 = 180Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-93繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 4000A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 150mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 600mAピン数 = 3寸法 = 35 (Dia.) x 234.5mm繰返しピークオフステート電流 = 30mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 42 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.38mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 16V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 600mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = TR3電解質の種類 = ソリッド℃許容差(マイナス) = -10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 6.73mm高さ = 6.22mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 9.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 47 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vシリーズ = E Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 357 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 29 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 37 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.63mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 580 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5.31mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201AD最大連続 順方向電流 3Aピーク逆繰返し電圧 600Vダイオード構成 シングル整流タイプ 汎用ダイオードタイプ 整流器ピン数 2最大順方向降下電圧 1.2V1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション直径 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 200AVishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長：. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性： IEC92.1 UL94VO >； 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 4.95mm幅 = 4.1mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 3.5Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GSIB-5Sピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 10μA寸法 = 30 x 4.6 x 20mm幅 = 4.6mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 46ピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 55A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA寸法 = 16.7 x 16.7 x 6.35mm高さ = 6.35mm基板実装用ブリッジ整流器、VS-KBPC1シリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 コンパクトな構造 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DF-Sピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 8.51mm高さ = 3.3mmULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ブリッジタイプ = 3相Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 63ピン数 = 5ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 200μA寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm幅 = 28.5mmUL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = クワッドピーク非繰返し順方向サージ電流 = 450A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 100μA寸法 = 4.95 x 4.1 x 2.7mm幅 = 4.1mm電源、照明安定器、バッテリー充電器、家電、オフィス機器、及び通信用途向けのAC/DCブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。基板の面積を節約 自動位置決めに最適 用途: 電源、照明安定器、バッテリー充電器、家電、オフィス機器、及び通信用途向けのAC/DCブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。