「3v400」の検索結果

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

静電容量 = 220μF。電圧 = 400V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 25 (Dia.) x 40mm。高さ = 40mm。動作温度 Min = -25℃。直径 = 25mm。動作温度 Max = +85℃。寿命 = 5000h。許容差 = ±20%。157シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 小型スナップイン高電圧コンデンサ 最大500 V 長い有効寿命: 5000時間 @ 85 ℃ 用途: 汎用、産業用及びオーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

静電容量 = 47μF。電圧 = 400V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 25mm

静電容量 = 22μF。電圧 = 400V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 25mm

静電容量 = 330μF。電圧 = 400V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 30 (Dia.) x 45mm。高さ = 45mm。動作温度 Min = -25℃。直径 = 30mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 2000 h， 5000 h， 500000 hmm。許容差 = ±20%。159シリーズ. 159 PUL-SI極性付きアルミコンデンサ高出力超長寿命スナップイン. これらは非固体電解質です 低ESR、高リプル電流対応 高い信頼性 耐用寿命: 3000時間 → 5000時間 @ 105 ℃ 最大500 Vに対応 用途: 太陽光発電インバータ、汎用 / 産業用 / オーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

静電容量 = 47μF。電圧 = 400V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 22 (Dia.) x 30mm。高さ = 30mm。動作温度 Min = -25℃。直径 = 22mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 10mm。許容差 = ±20%。CECC、IEC384-4. 059シリーズ. アルミコンデンサ、電源、長寿命スナップイン. 長い有効寿命: 10 000 時間 @ +105 ℃ 高いリプル電流性能 キー付きの極性タイプを用意 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質 大型、最小寸法、円筒型アルミケース、ブルースリーブで絶縁 用途: コンピュータ、通信及び産業用システム、平滑化及びフィルタリングの用途、 標準及びスイッチモード電源、パルスシステムにおける蓄電

静電容量 = 4.7μF。電圧 = 400V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 12mm

静電容量 = 10μF。電圧 = 400V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 20mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-244。最大連続 順方向電流 = 400A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 840mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25.5kA。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 50 → 400 A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 22μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 6032-28。等価直列抵抗 = 400mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 6mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 400mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(マイナス) = -10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 66 nC @ 10 V。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 23 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 280 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 6.3V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-21。等価直列抵抗 = 400mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.9mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 15.87mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。シリーズ = D Series。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 104 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 19.2V。最小ブレークダウン電圧 = 9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 8V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 18A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.43mm。ESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 15.87mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

The Vishay PhMKP capacitors are metallized polypropylene film capacitors with self-healing properties。The current-carrying metal layer of an MKP capacitor is vaporized onto one side of the polypropylene film。3-phase capacitor with 400 Vac voltage and 15 Kvar reactive power at 50 Hz.Maintenance free Reduced assembly times up t

The Vishay PhMKP capacitors are metallized polypropylene film capacitors with self-healing properties。The current-carrying metal layer of an MKP capacitor is vaporized onto one side of the polypropylene film。3-phase capacitor with 400 Vac voltage and 10 Kvar reactive power at 50 Hz.Maintenance free Reduced assembly times up t

LVAC パワーコンデンサ Terminal Block、スプリング接続メンテナンスフリー 組み立て時間を最大 60 % 短縮 風力発電所や輸送中の耐振動性 用途 風力発電所 ソーラーパネル及びインバータ 火力発電所

LVAC パワーコンデンサ Terminal Block、スプリング接続メンテナンスフリー 組み立て時間を最大 60 % 短縮 風力発電所や輸送中の耐振動性 用途 風力発電所 ソーラーパネル及びインバータ 火力発電所