「3v400」の検索結果

最大順方向電流 = 3A1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 400Vパッケージタイプ = SMCダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.42mm寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201AD最大連続 順方向電流 3Aピーク逆繰返し電圧 400Vダイオード構成 シングル整流タイプ 汎用ダイオードタイプ 整流器ピン数 2最大順方向降下電圧 1.2V1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション直径 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 200AVishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長：. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性： IEC92.1 UL94VO >； 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ソフトリカバリーダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

静電容量 = 220μF電圧 = 400V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 25 (Dia.) x 40mm高さ = 40mm動作温度 Min = -25℃直径 = 25mm動作温度 Max = +85℃寿命 = 5000h許容差 = ±20%157シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 小型スナップイン高電圧コンデンサ 最大500 V 長い有効寿命: 5000時間 @ 85 ℃ 用途: 汎用、産業用及びオーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

静電容量 = 330μF電圧 = 400V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 30 (Dia.) x 45mm高さ = 45mm動作温度 Min = -25℃直径 = 30mm動作温度 Max = +105℃寿命 = 2000 h， 5000 h， 500000 hmm許容差 = ±20%159シリーズ. 159 PUL-SI極性付きアルミコンデンサ高出力超長寿命スナップイン. これらは非固体電解質です 低ESR、高リプル電流対応 高い信頼性 耐用寿命: 3000時間 → 5000時間 @ 105 ℃ 最大500 Vに対応 用途: 太陽光発電インバータ、汎用 / 産業用 / オーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

静電容量 = 47μF電圧 = 400V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 22 (Dia.) x 30mm高さ = 30mm動作温度 Min = -25℃直径 = 22mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 10mm許容差 = ±20%CECC、IEC384-4. 059シリーズ. アルミコンデンサ、電源、長寿命スナップイン. 長い有効寿命: 10 000 時間 @ +105 ℃ 高いリプル電流性能 キー付きの極性タイプを用意 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質 大型、最小寸法、円筒型アルミケース、ブルースリーブで絶縁 用途: コンピュータ、通信及び産業用システム、平滑化及びフィルタリングの用途、 標準及びスイッチモード電源、パルスシステムにおける蓄電

静電容量 = 47μF電圧 = 400V dcテクノロジー = アルミ電解寸法 = 16 x 25mm

静電容量 = 22μF電圧 = 400V dcテクノロジー = アルミ電解寸法 = 12.5 x 25mm

静電容量 = 4.7μF電圧 = 400V dcテクノロジー = アルミ電解寸法 = 10 x 12mm

静電容量 = 10μF電圧 = 400V dcテクノロジー = アルミ電解寸法 = 10 x 20mm

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-244最大連続 順方向電流 = 400Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 840mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25.5kAVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 50 → 400 A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 33μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 7343-31等価直列抵抗 = 400mΩ許容差 = ±10%長さ = 7.3mm奥行き = 4.3mm高さ = 2.8mm寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mmシリーズ = TR3電解質の種類 = ソリッド℃誘電正接 = 6%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 22μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 400mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = TR3動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 15.87mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 66 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 100μF電圧 = 6.3V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3528-21等価直列抵抗 = 400mΩ許容差 = ±10%長さ = 3.5mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.9mm寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mmシリーズ = TR3動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vシリーズ = D Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 104 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 4.95mm幅 = 4.1mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 19.2V最小ブレークダウン電圧 = 9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 8Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 18AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.43mmESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 15.87mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.35mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

The Vishay PhMKP capacitors are metallized polypropylene film capacitors with self-healing propertiesThe current-carrying metal layer of an MKP capacitor is vaporized onto one side of the polypropylene film3-phase capacitor with 400 Vac voltage and 15 Kvar reactive power at 50 Hz.Maintenance free Reduced assembly times up t

The Vishay PhMKP capacitors are metallized polypropylene film capacitors with self-healing propertiesThe current-carrying metal layer of an MKP capacitor is vaporized onto one side of the polypropylene film3-phase capacitor with 400 Vac voltage and 10 Kvar reactive power at 50 Hz.Maintenance free Reduced assembly times up t