「6v 3w」の検索結果

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.04mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。シリーズ = D Series。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 104 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor

抵抗 = 150Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 6W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = PCAN。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay PCANシリーズ2512ラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0

抵抗 = 150Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = PCAN。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay PCANラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0

ダイオード構成 = オクタル。最大クランピング電圧 = 13V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = LLP1713-9L。ピン数 = 9。ピークパルスパワー消費 = 33W。1チップ当たりのエレメント数 = 8

抵抗 = 75Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = PCAN。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay PCANラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 8.7V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 480W。最大ピークパルス電流 = 30A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。幅 = 1.43mm。ESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 80 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 126 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 3V。最低ゲートしきい値電圧 1.2V。最大パワー消費 3.6 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 3.1mm。動作温度 Min -55 ℃mm。TrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 3000W。最大ピークパルス電流 = 51.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向3000 W、SMC3Kシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 36V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用