「800ns」の検索結果

実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = PowerTab。最大連続 順方向電流 = 80A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 60ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 800A。FRED PtR超高速回復整流器、10 A超

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 800mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

検出スペクトル = 近赤外線放射、可視赤外線放射。ピーク感度波長 = 920nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。増幅機能 = なし。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 380nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 2.5ns。長さ = 8.6mm。幅 = 5mm。直径 = 5mm。標準上昇時間 = 2.5ns。BPV10シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductors製のBPV10シリーズは、標準の5mm (T-1 3/4)のプラスチック製パッケージに収納されたPINフォトダイオードです。 可視光線と近赤外線の放射を両方とも感知します。. BPV10 PINフォトダイオードの特長: 高速 高い放射感度 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 放射検出面積: 0.78 mm2 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 920nm。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 780nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 3mm。幅 = 2mm。高さ = 1mm。標準上昇時間 = 100ns。VEMD10940シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVEMD10940Fは、シリコンPINフォトダイオードです。 側方監視(SL)の表面実装(SMD)ミニチュアパッケージに収納されています。 ドーム型レンズは昼光フィルタを備えています。 VEMD10940Fに適した用途には、高速光検出器、赤外線リモコン、赤外線データ転送、フォトインタラプタ、赤外線タッチパネルなどがあります。. VEMD10940Fフォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 側方監視パッケージ 寸法: 3 x 2 x 1 mm 高い放射感度 高速な応答時間 半値角: 75 °