「ESD」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 8.7V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 480W。最大ピークパルス電流 = 30A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。幅 = 1.43mm。ESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 19.2V。最小ブレークダウン電圧 = 9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 8V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 18A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.43mm。ESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護

ダイオード構成 = オクタル。最大クランピング電圧 = 13V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = LLP1713-9L。ピン数 = 9。ピークパルスパワー消費 = 33W。1チップ当たりのエレメント数 = 8

Vishay PHPA シリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセ

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Vishay PHPA シリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセ

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 137V。最小ブレークダウン電圧 = 95V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 85.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 10.9A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。テスト電流 = 1mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 30.6V。最小ブレークダウン電圧 = 20.9V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 18.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 49A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。サージ電流レーティング = 200A。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 11V。最小ブレークダウン電圧 = 4.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = μSMP。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 100W。最大ピークパルス電流 = 75A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向100 W、MSPシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 38.6A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 51.4A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.5V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

VishayPHPAシリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセスによって制限されます。高出力チップ抵抗器と同様に、発生した熱を除去するAbilityは、デバイスの全体的な性能に不可欠です。窒化タンタル材料抵抗範囲：10Ω→30.1kΩ電圧係数<：0.1ppm/V動作電圧：200V動作温度範囲：-55→+155℃ノイズ<：-30dB

VishayPHPAシリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセスによって制限されます。高出力チップ抵抗器と同様に、発生した熱を除去するAbilityは、デバイスの全体的な性能に不可欠です。窒化タンタル材料抵抗範囲：10Ω→30.1kΩ電圧係数<：0.1ppm/V動作電圧：200V動作温度範囲：-55→+155℃ノイズ<：-30dB

VishayPHPAシリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセスによって制限されます。高出力チップ抵抗器と同様に、発生した熱を除去するAbilityは、デバイスの全体的な性能に不可欠です。窒化タンタル材料抵抗範囲：10Ω→30.1kΩ電圧係数<：0.1ppm/V動作電圧：200V動作温度範囲：-55→+155℃ノイズ<：-30dB

VishayPHPAシリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセスによって制限されます。高出力チップ抵抗器と同様に、発生した熱を除去するAbilityは、デバイスの全体的な性能に不可欠です。窒化タンタル材料抵抗範囲：10Ω→30.1kΩ電圧係数<：0.1ppm/V動作電圧：200V動作温度範囲：-55→+155℃ノイズ<：-30dB

バリスタ電圧 = 31 → 38V。最大AC定格電圧 = 20V。最大直流定格電圧 = 26V。制限電圧 = 58V。クランプ電流 = 1A。材料 = 金属J。シリーズ = MLV - E3 - 3T。最大サージ電流 = 30A。静電容量 = 160pF。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。SMD多層Varistor MLVxxxxE3xxx3Tシリーズ. 双方向クランピングループ特性 優れたエネルギー / ボリューム比 リフローはんだ付けに最適 データ回線及びI/Oポート保護、ESDトランジェント保護、IC及びトランジスタのオンボード保護、モデム保護、LCD保護など、過電圧及びトランジェント電圧保護の用途を想定しています。

VishayPHPAシリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセスによって制限されます。高出力チップ抵抗器と同様に、発生した熱を除去するAbilityは、デバイスの全体的な性能に不可欠です。窒化タンタル材料抵抗範囲：10Ω→30.1kΩ電圧係数<：0.1ppm/V動作電圧：200V動作温度範囲：-55→+155℃ノイズ<：-30dB