「a-100」の検索結果

抵抗 = 100Ω定格電力 = 1W許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線シリーズ = AC01温度係数 = +100 → +180ppm/℃AC01シリーズ、1 W、アキシャル. 総溶接構造 セラミックコア 不燃性セメント被覆 すずめっき銅クラッドアイアンリード スモールボリュームでのハイパワー損失 パルス用途に最適

抵抗 = 220mΩ定格電力 = 1W許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線シリーズ = AC01温度係数 = -80 → -10ppm/℃AC01シリーズ、1 W、アキシャル. 総溶接構造 セラミックコア 不燃性セメント被覆 すずめっき銅クラッドアイアンリード スモールボリュームでのハイパワー損失 パルス用途に最適

抵抗 = 470Ω定格電力 = 1W許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線シリーズ = AC01温度係数 = +100 → +180ppm/℃AC01シリーズ、1 W、アキシャル. 総溶接構造 セラミックコア 不燃性セメント被覆 すずめっき銅クラッドアイアンリード スモールボリュームでのハイパワー損失 パルス用途に最適

抵抗 = 10kΩ抵抗器タイプ = アレイパッケージ/ケース = 0612 (1632M)定格電力 = 0.3W終端スタイル = コンベックス許容差 = ±0.25%ケーススタイル = モールド1素子当りの定格電力 = 0.1W回路図 = ISOL長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 0.55mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 0.55mm端子数 = 8温度係数 = ±25ppm/℃ACAS 0612精密薄膜チップ抵抗アレイ. 信頼性に実績のある精密薄膜チップ抵抗製品(チップ抵抗アレイの利点を採用) コンパクトなパッケージによりアセンブリコストを削減しながら高密度回路の設計が可能 定義済みの許容値マッチングとTCRトラッキングにより、安定した固定抵抗比の高い要件を必要とする用途に最適 用途は、精密アナログ回路、電圧ディバイダ、フィードバック回路、シグナルコンディショニングなど

バリスタ電圧 = 100V最大AC定格電圧 = 60V最大直流定格電圧 = 85V制限電圧 = 165Vクランプ電流 = 10A材料 = ZnOセラミックJシリーズ = VDRS直径 = 9mm最大サージ電流 = 1200A静電容量 = 700pF長さ = 35mm厚さ = 4.1mm寸法 = 9 Dia. x 4.1mmリード間隔 = 5mm

実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = D-55最大連続 順方向電流 = 40Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600AVishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5最大連続 順方向電流 = 70Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = スタッドアノード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

抵抗 = 15MΩ定格電力 = 0.5W許容差 = ±5%テクノロジー = メタルグレースシリーズ = VR37温度係数 = ±200ppm/℃動作温度 Min = -55℃VR37シリーズ、アキシャル. Vishay VR37シリーズの金属皮膜抵抗器です。 定格0.5 Wで高い信頼性と品質を保証します。 この抵抗器は、ライトブルーのラッカーコーティングにより、電気、機械、気候に対する保護を実現しています。. 各種抵抗値のものを用意 高パルス負荷機能(10 kV) 技術: メタルグレーズ

抵抗 = 10MΩ定格電力 = 0.5W許容差 = ±5%テクノロジー = メタルグレースシリーズ = VR37温度係数 = ±200ppm/℃動作温度 Min = -55℃VR37シリーズ、アキシャル. Vishay VR37シリーズの金属皮膜抵抗器です。 定格0.5 Wで高い信頼性と品質を保証します。 この抵抗器は、ライトブルーのラッカーコーティングにより、電気、機械、気候に対する保護を実現しています。. 各種抵抗値のものを用意 高パルス負荷機能(10 kV) 技術: メタルグレーズ

抵抗 = 33MΩ定格電力 = 0.5W許容差 = ±5%テクノロジー = メタルグレースシリーズ = VR37温度係数 = ±200ppm/℃動作温度 Min = -55℃VR37シリーズ、アキシャル. Vishay VR37シリーズの金属皮膜抵抗器です。 定格0.5 Wで高い信頼性と品質を保証します。 この抵抗器は、ライトブルーのラッカーコーティングにより、電気、機械、気候に対する保護を実現しています。. 各種抵抗値のものを用意 高パルス負荷機能(10 kV) 技術: メタルグレーズ

抵抗 = 10MΩ定格電力 = 0.25W許容差 = ±5%テクノロジー = メタルグレースシリーズ = VR25温度係数 = ±200ppm/℃VR25シリーズ、アキシャル. メタルグレーズ厚膜 IEC65の安全要求事項 IEC62に準拠した識別カラー付き

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 20000μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 20 °極性 = NPNピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = TO-18寸法 = 5.5 x 5.5 x 6.15mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm幅 = 5.5mmBPW77NA及びBPW77NBシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW77NA及びBPW77NBシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスレンズ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 BPW77NA及びBPW77NB フォトトランジスタは、可視光及び赤外線両方の放射を感知します。 これらの製品は、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW77NA / BPW77NBフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ 4.7 mm径 スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 800μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = ±40 °極性 = NPNピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = TO-18寸法 = 4.7 x 5.2mmコレクター電流 = 50mA直径 = 4.7mm高さ = 5.2mmBPW76A及びBPW76Bシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW76A及びBPW76Bシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスウィンドウ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 可視光線及び赤外線両方の放射を感知します。 BPW76A及びBPW76Bフォトトランジスタは、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW76A / BPW76Bフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ スルーホール取り付け 4.7 mm径 高感光性 高い放射感度 半輝度角度: 40 ° 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 4000μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 74 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = 側方監視寸法 = 5 x 2.65 x 5mmコレクター電流 = 100mA感度スペクトルレンジ = 850 → 980 nmnm高さ = 5mmTEKT5400シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のTEKT5400シリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタです。 これらの製品は側方監視のスルーホールパッケージに収納されています。 これらの製品は、昼光フィルタを備え、周囲の可視光を遮断する黒色のプラスチック製パッケージに収納されています。 TEKT5400フォトトランジスタは、電子制御や駆動回路における検出器としての使用に最適です。. 特長と利点:. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形態：サイドビューレンズ 寸法( L ；font face="symbol">；´ ；/font>； W ；font face="symbol">；´ ；/font>； H ；font face="symbol">；´ ；/font>； mm )： 5 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 2.65 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 5 高い放射感度 940 nm に適合する昼光遮断フィルタ エミッタ 高速な応答時間 半感度の角度：冷間距離 = ± 37 ° 赤外線エミッタシリーズ TSKS5400S と組み合わせたパッケージ. 用途:. 電子制御および駆動回路の検出器

検出スペクトル = 赤外線チャンネル数 = 1最大光電流 = 9000μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 30 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装寸法 = 2.3 x 2.3 x 2.77mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 790 → 970 nmnm高さ = 2.77mmVEMT2000 / VEMT2020シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのVEMT2000 / VEMT2020シリーズは、シリコンNPNエピタキシャル平面フォトトランジスタファミリです。 これらの製品は、各種リードタイプの表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージに収容されています。 VEMT2000及びVEMT2020は、昼光フィルタを備え、周囲の可視光を遮断する黒色のプラスチック製パッケージに収容されています。 VEMT2000及びVEMT2020フォトトランジスタに適した用途には、フォトインタラプタ、ミニチュアスイッチ、車載用途の検出器、カウンタ、エンコーダ、位置センサなどがあります。. VEMT2000 / VEMT2020フォトトランジスタの特長: サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 多様なリードタイプ: GW及びRGW 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ソフトリカバリーダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ソフトリカバリーダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.07V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 15ns直径 = 3.6mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 2A1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOD-80ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF長さ = 3.7mm寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm直径 = 1.6mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

定格平均オン電流 = 50Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-65繰返しピーク逆方向電圧 = 1200Vサージ電流レーティング = 1490A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 100mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 2寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm繰返しピークオフステート電流 = 15mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 50Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-65繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 1490A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 100mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 2寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm繰返しピークオフステート電流 = 15mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 50Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-65繰返しピーク逆方向電圧 = 400Vサージ電流レーティング = 1490A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 100mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 2寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400VVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 25nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 11V最小ブレークダウン電圧 = 4.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = μSMP最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 100W最大ピークパルス電流 = 75AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向100 W、MSPシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.07V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 25nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 42 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.38mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.67mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 8.3 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 41 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.73mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 29.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.26mm高さ = 1.12mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 6 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = ThunderFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 5.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mmNチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFETR、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 760 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 200V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1.5 Wパッケージタイプ = DO-204ALツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 1500Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード1.5 W、Z4KE100A - Z4KE200Aシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化電力電圧調整式ダイオード プラスチックMELFパッケージ 自動位置決めに最適 低ツェナーインピーダンス 低調整定数 AEC-Q101認定

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac最大電流変換率 = 200%最小電流伝送率 = 100%シリーズ = SFHオプトカプラ、トランジスタ出力、SFHシリーズ、Vishay Semiconductor. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615A、VOL617A及びVOL628Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM617A及びVOM618Aシリーズは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aの用途には、ACアダプタでのアイソレーション、スイッチモード電源、プログラム可能なロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電などがあります。 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aは最高動作温度が110 °です。

静電容量 = 1nF電圧 = 50V dc実装タイプ = スルーホール温度特性 = C0G許容差 = ±5%寸法 = 2.5 x 3.8mm長さ = 3.8mmシリーズ = A102末端仕様 = アキシャル℃単軸溶融コンデンサ. Vishay Aシリーズのアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、汎用向けに設計されています。 これらの製品は、黄色の難燃性エポキシ樹脂と100 %スズめっき銅のクラッドスチールで構成されており、非常に信頼性が高いです。. 静電容量が大きく、小型サイズ 高い信頼性 軸方向取り付けタイプ