「a3 ケース」の検索結果

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 33μF。電圧 = 6.3V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 2.5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。電解質の種類 = ソリッド℃。誘電正接 = 14%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 6.3V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 3.4Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。電解質の種類 = ソリッド℃。末端仕様 = 表面実装%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 1μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = スルーホール。パッケージ/ケース = アキシャル。150Dシリーズ. Vishay 150Dシリーズのタンタルケース電解コンデンサは高性能で、ハーメチックシールド構造のTANTALEXRコンデンサです。 これらのコンデンサは損失係数が低く、プラスチックフィルムで絶縁されたケース内での動作安定性に優れ、単線のスズめっきワイヤリードが付いています。 150Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を備えています。これらの製品は、優れた体積効率の必要な用途に最適です。

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 2.2μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 4Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 6%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

インダクタンス = 2.2 μH。最大直流電流 = 3A。パッケージ/ケース = 1212。長さ = 3.6mm。奥行き = 3mm。高さ = 2mm。寸法 = 3.6 x 3 x 2mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 46mΩ。シリーズ = IHLP。コア材料 = 金属複合材。最大自己共振周波数 = 55MHz。動作温度 Min = -55℃。現在、自動車の用途には非推奨. IHLP1212BZ-11シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-1212BZ-11シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-1212BZ-11シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は1.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて) IEC 61249-2-21定義によりハロゲンフリー. 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 1.7Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = TR3。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 1.8Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 6.8μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 4.2Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 4.7μF。電圧 = 20V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 4.7μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。電解質の種類 = ソリッド℃。誘電正接 = 6%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 22μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 1Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = TR3。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 22μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 2.5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 8%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 2.2μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 5.9Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 6%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 7.5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 9.3Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。許容差(マイナス) = -10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 2.2μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 6.3Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 3Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 6%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 7.6Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 4%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 10μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 1206 ( 3216M )

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 4.7μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 5Ω。自動車規格 = AEC-Q200。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ソフトリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ソフトリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ソフトリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

インダクタンス = 3.3 μH。最大直流電流 = 9.2A。パッケージ/ケース = 2525。長さ = 8mm。奥行き = 4mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。Vishay IHLP 商用インダクタは、飽和のない高過渡電流スパイクを処理します。複合構造により、超低騒音です。インダクタンスは 3.3 μ H です。RoHS対応 ハロゲンフリー

インダクタンス = 3.3 μH。最大直流電流 = 5.5A。パッケージ/ケース = 2020。長さ = 6.7mm。奥行き = 3mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。Vishay IHLP 業務用インダクタの低 DCR シリーズは、高過渡電流スパイクにも強く飽和しないで対処します。複合構造により、超低騒音です。電源付きの鉄組成によりソフトな彩度を実現しています。インダクタンスは 3.3 μ H です。RoHS対応 ハロゲンフリー

インダクタンス = 10 μH。最大直流電流 = 4A。パッケージ/ケース = 2525。長さ = 6.86mm。奥行き = 6.47mm。高さ = 3mm。寸法 = 6.86 x 6.47 x 3mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 71.2mΩ。シリーズ = IHLP-2525CZ-11。コア材料 = 金属複合材。最大自己共振周波数 = 1MHz。インダクタ構造 = シールド付き℃。IHLP2525CZ-11シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-2525CZ-11シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2525CZ-11シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は1.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-236。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 156 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.66 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 2.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 20 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 75 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 0.85V。最低ゲートしきい値電圧 0.4V。最大パワー消費 0.71 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±8 V。幅 1.4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。ハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET 100 %耐久性テスト済み 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチング DC/DCコンバータ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.04mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 51 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor