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抵抗 4.7Ω。許容差 ±10%。定格電力 100W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 フランジ取り付け。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 22 117mm。直径 22mm。長さ 117mm。動作温度 Min -55℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 15μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、トランジスタ出力、SFHシリーズ、Vishay Semiconductor. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615A、VOL617A及びVOL628Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM617A及びVOM618Aシリーズは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aの用途には、ACアダプタでのアイソレーション、スイッチモード電源、プログラム可能なロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電などがあります。 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aは最高動作温度が110 °です。

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3.5μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 5μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、トランジスタ出力、SFHシリーズ、Vishay Semiconductor. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615A、VOL617A及びVOL628Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM617A及びVOM618Aシリーズは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aの用途には、ACアダプタでのアイソレーション、スイッチモード電源、プログラム可能なロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電などがあります。 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aは最高動作温度が110 °です。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 320%。最小電流伝送率 = 160%。シリーズ = VO。オプトカプラ、トランジスタ出力、VO6xxAシリーズ、Vishay Semiconductor. フォトトランジスタ出力を備えたVishay製の低入力電流オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aシリーズは、装置のユーザーを感電から守るとともに、システム内のマイクロプロセッサが電圧スパイクによる損傷を受けないように保護します。. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 用途: ACアダプタ、スイッチモード電源、プログラマブルロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電での絶縁 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aの動作温度は最大で110 ℃です。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 7μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 12μs。シリーズ = VOM。オプトカプラ、トランジスタ出力、VOMシリーズ、Vishay Semiconductor. フォトトランジスタ出力を備えたVishay製の低入力電流オプトカプラVOM617A、VO618Aシリーズは、装置のユーザーを感電から守るとともに、システム内のマイクロプロセッサが電圧スパイクによる損傷を受けないように保護します。. VOM617A及びVOM618Aシリーズは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 用途: ACアダプタ、スイッチモード電源、プログラマブルロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電での絶縁 オプトカプラVOM617A、VOM618Aの動作温度は最高で110 ℃です。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。シリーズ = VOM

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフィルタイ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 490mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 10ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 22.3 x 3.56 x 18.8mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = KBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -50 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm。幅 = 7.1mm。UL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

最大順方向電流 = 4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-252AA。ピン数 = 3 + Tab。最大ダイオードキャパシタンス = 17pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 6.73mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.26mm。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.26mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-221BC。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 590mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

インダクタンス = 10 μH。最大直流電流 = 4A。パッケージ/ケース = 2525。長さ = 6.86mm。奥行き = 6.47mm。高さ = 3mm。寸法 = 6.86 x 6.47 x 3mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 71.2mΩ。シリーズ = IHLP-2525CZ-11。コア材料 = 金属複合材。最大自己共振周波数 = 1MHz。インダクタ構造 = シールド付き℃。IHLP2525CZ-11シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-2525CZ-11シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2525CZ-11シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は1.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.034 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = 4マイクロフィート。実装タイプ = 表面実装

インダクタンス = 4.7 μH。最大直流電流 = 2.8A。パッケージ/ケース = 2020。長さ = 5.4mm。奥行き = 2mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。IHLP2020BZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-2020BZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2020BZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど