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Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 470000pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 10 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズ

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。この軸流セラミックコンデンサは、静電容量が -55+160 ℃ となっていますこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 5 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズめっき銅

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 47000 pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 10 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズ

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。この軸流セラミックコンデンサは、静電容量が -55+160 ℃ となっていますこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 10 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズめっき銅

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。これらのアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 2200 pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 10 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % ス

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 100 pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 5 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズめっ

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 100、000 pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 5 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % ス

VishayA..Pシリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAPの認定を受けたAEC-Q200認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、静電容量が-22000pF(-55→+160℃)となっていますこのコンデンサは、信頼性の高いMLCCと±10%の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100%スズめっき銅クラッドスチール製ワイヤリードと信頼性の高いコンデンサです。静電容量が大きく、小型サイズ軸方向取り付けタイプELV指令に適合する部品

GaAlAs 面発光チップ技術の採用により、極めて高い放射強度、高光出力、高速スイッチングが実現された Vishay の高速赤外線 940 nm 発光ダイオードは、表面実装( SMD )向けの無色透明プラスチックパッケージ(レンズ付き)入りです。ガルウィングパッケージに入っています。RoHS 指令(2022年10月現在)、及び鉛フリーに準拠しています 高パルス電流動作に適しています

013シリーズ。非固体、低漏洩電流、低消費電力、長寿命 タンタルビーズコンデンサの代替品として、一般的な用途及び産業用途に推奨

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 163A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = オクタル。最大クランピング電圧 = 13V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = LLP1713-9L。ピン数 = 9。ピークパルスパワー消費 = 33W。1チップ当たりのエレメント数 = 8

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 251A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 129A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 9.1 x 9.1 x 9.1mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 69.4V。最小ブレークダウン電圧 = 47.8V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 43V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 72A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。直径 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 70A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.35V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 85A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.8kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 70A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.35V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 70A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.35V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 70A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。ダイオード構成 = スタッドアノード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.35V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 50V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 8.84 5.6mm。高さ 5.6mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

標準ツェナー電圧 = 68V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 3.7A。最大ツェナーインピーダンス = 150Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Max = +175 ℃。ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = WOG。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 9.86mm。高さ = 5.6mm。UL E54214. ワイヤリード付きブリッジ整流器、2WxxGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低DC逆電流 高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-213AB。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

標準ツェナー電圧 = 36V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 4.95 x 4.1 x 2.7mm。高さ = 2.7mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン