「a55 v」の検索結果

実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = D-55最大連続 順方向電流 = 40Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600AVishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

汎用ガラス封止アバランシェダイオードガラスパシベーションジャンクション密閉パッケージ低逆電流AEC-Q101認定

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 11V最小ブレークダウン電圧 = 4.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = μSMP最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 100W最大ピークパルス電流 = 75AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向100 W、MSPシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 31V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-213ABツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 25μA寸法 = 2.6 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -55 ℃

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 110Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 550Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 10V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MicroMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = <15Ω最大逆漏れ電流 = <2μA寸法 = 2 x 1.2 x 1.2mm動作温度 Max = +175 ℃%/Kツェナーダイオード500 mW、BZM55シリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = Quadro MiniMelfツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 600Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm標準電圧温度係数 = -0.05 %/℃， 0.02%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT55シリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = 0.12%/Kツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

ピーク平均順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 46ピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 55A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA寸法 = 16.7 x 16.7 x 6.35mm高さ = 6.35mm基板実装用ブリッジ整流器、VS-KBPC1シリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 コンパクトな構造 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm高さ = 7.62mmUL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

静電容量 = 1000μF電圧 = 16V dc実装タイプ = ラジアル、 スルーホールテクノロジー = アルミ電解寸法 = 10 (Dia.) x 20mm高さ = 20mm動作温度 Min = -55℃直径 = 10mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 5mm自動車規格 = AEC-Q200AIEC60384-4/EN130300 です。 耐候性カテゴリ： IEC60068-2-6 / 105 / 56. 150 シリーズです. ミニチュアラジアル非固体電解コンデンサ 低インピーダンス及び高リプル電流 サービス寿命： 4000 → 10000 時間 @ 105 ° C