「a5e」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 43.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 43.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-215AA。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mm。テスト電流 = 10mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 163A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 86.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。テスト電流 = 5mA。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 251A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 129A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 9.1 x 9.1 x 9.1mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 69.4V。最小ブレークダウン電圧 = 47.8V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 43V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 72A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。直径 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 50V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 8.84 5.6mm。高さ 5.6mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = WOG。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 9.86mm。高さ = 5.6mm。UL E54214. ワイヤリード付きブリッジ整流器、2WxxGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低DC逆電流 高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 4.95 x 4.1 x 2.7mm。高さ = 2.7mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 950mV。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 30mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = WOG。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 9.86mm。幅 = 8.84mm。UL E54214. ワイヤリード付きブリッジ整流器、2WxxGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低DC逆電流 高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC6。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 16mm。幅 = 16mm。UL、E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、GBPC6シリーズ、Vishay Semiconductor. 基盤(PCB)実装に最適 標準的なDC逆電流: 0.5 μA未満 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。長さ 9.86mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.6mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = WOG。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 9.86mm。高さ = 5.6mm。UL E54214. ワイヤリード付きブリッジ整流器、2WxxGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低DC逆電流 高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.6mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC25xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。高さ = 3.3mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC25xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. Vishay GBPC25 シリーズブリッジダイオード. UL認証(ファイル番号：E54214 ) 一般的な3種類の端子：スナップオン、ラップアラウンド、基板取付 標準 IR：0.3 μA 以下 耐高サージ電流 低熱抵抗 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠. 代表的な用途 電源、家電製品、オフィス機器、産業オートメーション用途の AC/DC ブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。. 機械データ ケース ：GBPC 、 GBPC-W 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子 ：ニッケルめっきファストンラグ、又は銀めっき ワイヤリード、J-STD-002 と JESD22-B102 準拠のはんだ付けに対応可能 配線リードを示す接尾辞「 W 」が追加されました (例：GBPC12005W )。 極性 ：マークされているように、プラス極リードは面取りコーナーに設置 締め付けトルク ：最大 20 in・lbs

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DF-M。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。高さ = 3.3mm。UL、E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、DFxxM、DFxxMAシリーズ、Vishay Semiconductor. 小型のガラス不動態化チップジャンクション 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 自動装着機に対応 耐高サージ電流

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン