「ct 電流」の検索結果

最大負荷電流 = 0.25 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 350 V。最大電圧制御 = 1.5 V。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。定格電圧範囲 = 350V ac。寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm。奥行き = 6.5mm。オプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 950mV。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 30mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 46。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 55A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 16.7 x 16.7 x 6.35mm。高さ = 6.35mm。基板実装用ブリッジ整流器、VS-KBPC1シリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 コンパクトな構造 ワイヤリード構造

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 50μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = ±60 °。ピン数 = 3。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = 1206。寸法 = 4 x 2 x 1.05mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm。幅 = 2mm。TEMT6000シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMT6000シリーズの周辺光センサファミリです。NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージで構成されています。このコンパクトな表面実装(SMD)パッケージは、標準の1206フットプリントとなっています。TEMT6000は、可視光の影響を受けやすく、人間の眼の応答性に匹敵する製品です。TEMT6000周辺光センサに適した用途には、自動車、携帯電話、ノートブック、カメラ、ダッシュボードなどがあります。. TEMT6000周辺光センサの特長: 1206フットプリント 寸法: 4 x 2 x 1.05 mm 高感光性 ピーク感度: 570 nm 半輝度角度: 60 °

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 75A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 250mA。ピーク逆繰返し電圧 = 2000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 300ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20A。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ソフトリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.07V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 15ns。直径 = 3.6mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ソフトリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 150mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-123。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.85mm。幅 = 1.7mm。高さ = 1.25mm。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.25mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ピーク波長 = 940nm。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。放射束 = 35mW。放射強度 = 80mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 3mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSALシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSALファミリは、スルーホール赤外線(IR)発光ダイオードで構成されています。 3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)パッケージの製品が用意されています。 この高出力赤外線発光ダイオードにより、高放射強度の高放射出力が得られます。 TSALファミリは、赤外線リモートコントロールユニット、空気伝送システム、煙感知器の赤外線光源、光学式カウンタやカードリーダーの赤外線光源などの用途に適しています。. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm 単位)： O 5 Peak Wavelength ： λ p = 940 nm 高信頼性 高放射出力 高放射強度 半輝度の角度：冷間距離 = ± 17 ° 低順方向電圧 高パルス電流動作に適しています Si 光検出器との良好なスペクトルマッチング. 用途. 高出力が要求される赤外線リモコン装置 自由な空気伝達システム 光学カウンタおよびカードリーダー用の赤外線ソース

ピーク波長 = 850nm。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。放射束 = 55mW。放射強度 = 600mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。指向半値角 = ±3°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 5mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay VSLY5850シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSLY5850は、赤外線(IR)発光ダイオードです。 標準のT-1 3/4 (5 mm)スルーホールパッケージに収められています。 放物面レンズ付きの、無色透明のプラスチック製パッケージを備えています。 VSLY5850赤外線LEDに適した用途には、CMOSカメラの赤外線照射源、高速赤外線データ転送、自動煙及び火災感知器、そして赤外線フラッシュ用途が含まれます。. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm 単位)： O 5 スタンドオフ付きリード Peak Wavelength ： p=850 nm 高信頼性 高放射出力 高放射強度 半輝度の狭角：冷間時 = ± 3 ° 高パルス電流動作に適しています CMOS カメラとの良好なスペクトルマッチング RoHS 指令 2002/95/EC 、 WEEE 2002/96/EC に準拠 IEC61249-2-21規定に準拠したハロゲンフリー. 用途. CMOS カメラで動作するための赤外線放射源 高速赤外線データ転送 煙自動火災感知器 IR フラッシュ

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 25A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 440A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピークオフステート電流 = 15mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 250A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = MAGN-A-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 1600V。サージ電流レーティング = 8.9kA。実装タイプ = パネルマウント。最大ゲートトリガー電流 = 350mA。最大ゲートトリガー電圧 = 4V。最大保持電流 = 500mA。ピン数 = 7。寸法 = 115 x 50 x 52mm。繰返しピークオフステート電流 = 60mA。UL認定ファイルE78996. サイリスタ / サイリスタVS-VSKTシリーズ、MAGN-A-PAKモジュール、Vishay Semiconductor. サイリスタ / サイリスタ構成 3500 V ；sub>RMS ；/sub>、金属ベースからの電圧を絶縁 産業標準パッケージMAGN-A-PAK

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.9V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。最大電流変換率 = 35%。シリーズ = 6N136。オプトカプラ、トランジスタ出力、6Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400V。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = KBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -50 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm。幅 = 7.1mm。UL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC25xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 0.1μs。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 0.1μs。シリーズ = VO。オプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。論理出力 = あり。最小電流伝送率 = 20%。シリーズ = MCT。MCT6は、高密度用途向けの2チャンネルオプトカプラです。各チャンネルは、ガリウムヒ素赤外線LED及びシリコンNPNフォトトランジスタと光学的に結合されたペアで構成されています。DCレベルを含む信号情報は、入力と出力の間の高度な電気的分離を維持しながら、デバイスによって送信されます。MCT6は特に中速ロジックの駆動用に設計されており、困難な接地ループやノイズの問題を解消するために使用されます。また、多くのデジタルインターフェース用途やCRT変調などのアナログ用途でも、リレーやトランスの代わりに使用できます。電流伝達率: 50 %標準 漏洩電流: 1.0 nA標準 パッケージごとに2つの独立チャンネル

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.6mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = ±60 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途