「ct 電流」の検索結果

最大負荷電流 = 0.25 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 350 V。最大電圧制御 = 1.5 V。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。定格電圧範囲 = 350V ac。寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm。奥行き = 6.5mm。オプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 80A。サイリスタタイプ = PCT。パッケージタイプ = TO-94。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 1990A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 120mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 3。寸法 = 29.5 x 27 x 188mm。繰返しピークオフステート電流 = 15mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 180A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-93。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 4000A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 150mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 600mA。ピン数 = 3。寸法 = 35 (Dia.) x 234.5mm。繰返しピークオフステート電流 = 30mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピークオフステート電流 = 15mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 25A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 440A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピークオフステート電流 = 15mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4000 V ac。最大電流変換率 = 120%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 4 kVrms。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = IL207。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 300μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 800%。最小電流伝送率 = 600%。シリーズ = TCLD。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 250A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = MAGN-A-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 1600V。サージ電流レーティング = 8.9kA。実装タイプ = パネルマウント。最大ゲートトリガー電流 = 350mA。最大ゲートトリガー電圧 = 4V。最大保持電流 = 500mA。ピン数 = 7。寸法 = 115 x 50 x 52mm。繰返しピークオフステート電流 = 60mA。UL認定ファイルE78996. サイリスタ / サイリスタVS-VSKTシリーズ、MAGN-A-PAKモジュール、Vishay Semiconductor. サイリスタ / サイリスタ構成 3500 V ；sub>RMS ；/sub>、金属ベースからの電圧を絶縁 産業標準パッケージMAGN-A-PAK

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

定格平均オン電流 = 25A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-208AA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 440A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 90mA。最大ゲートトリガー電圧 = 3V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。寸法 = 15.5 x 14.3 x 41.7mm。ピークオンステージ電圧 = 1.7V。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。高さ = 3.3mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.7V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 2000%。シリーズ = 6N139。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SSOP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = VOS。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4000 V ac。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.9V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。最大電流変換率 = 35%。シリーズ = 6N136。オプトカプラ、トランジスタ出力、6Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 60A。サイリスタタイプ = SCR、SCRモジュール。パッケージタイプ = TO-240AA。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 1200A。実装タイプ = パネルマウント。最大ゲートトリガー電流 = 270mA。最大ゲートトリガー電圧 = 4V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 7。寸法 = 92 x 22.6 x 30mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V。サイリスタ / サイリスタVS-VSKTシリーズ、ADD-A-PAKモジュール、Vishay Semiconductor. 産業標準パッケージADD-A-PAK 低熱抵抗

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 11μs。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.9μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 1.4μs。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = WOG。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 9.86mm。高さ = 5.6mm。UL E54214. ワイヤリード付きブリッジ整流器、2WxxGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低DC逆電流 高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCLT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCLTシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = H11A。オプトカプラ、トランジスタ出力、H11シリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 3.7μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400V。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。ワイヤリード付きブリッジ整流器、GBPC-Wシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 16mm。幅 = 16mm。UL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子