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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8L。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥689
税込¥758
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥879
税込¥967
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 28 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥899
税込¥989
7日以内出荷
MOSFET・モスフェット
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1800 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
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