チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.04 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23-3 (TO-236)。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 W寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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