「e300」の検索結果

抵抗 = 50mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±700ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 50Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 20Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 25Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2.2Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10kΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトダイオード最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 1.75μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac標準降下時間 = 1.75μsシリーズ = IL300特殊機能 = リニア動作UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトダイオード最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 1.75μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac標準降下時間 = 1.75μsシリーズ = IL300特殊機能 = リニア動作UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトダイオード最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 1.75μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac標準降下時間 = 1.75μsシリーズ = IL300特殊機能 = リニア動作UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

シリーズ = NTCLE300E3...SB熱係数 = 4.37%/K許容差 = ±2.18%最大定格電力 = 100mW長さ = 38mm奥行き = 2.4mm動作温度 Min = -40℃NTCサーミスタ、ロングリードセンサ、NTCLE..E3..SBシリーズ. NTCサーミスタ、ロングリードセンサ 精度: 0.5 ℃ (0 → 50 ℃) 小径 長期にわたる高い安定性 リードが長く柔軟なため、特殊な取り付けや組み立ての要件に最適. NTCLE..E3..SBシリーズの用途: 温度測定、温度検出、温度制御のほか、産業用電子機器や家庭用電化製品における温度補償など

静電容量 = 330μF電圧 = 400V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 30 (Dia.) x 45mm高さ = 45mm動作温度 Min = -25℃直径 = 30mm動作温度 Max = +105℃寿命 = 2000 h， 5000 h， 500000 hmm許容差 = ±20%159シリーズ. 159 PUL-SI極性付きアルミコンデンサ高出力超長寿命スナップイン. これらは非固体電解質です 低ESR、高リプル電流対応 高い信頼性 耐用寿命: 3000時間 → 5000時間 @ 105 ℃ 最大500 Vに対応 用途: 太陽光発電インバータ、汎用 / 産業用 / オーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

静電容量 = 330μF電圧 = 200V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 22 (Dia.) x 30mm高さ = 30mm動作温度 Min = -25℃直径 = 22mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 10mm許容差 = ±20%159シリーズ. 159 PUL-SI極性付きアルミコンデンサ高出力超長寿命スナップイン. これらは非固体電解質です 低ESR、高リプル電流対応 高い信頼性 耐用寿命: 3000時間 → 5000時間 @ 105 ℃ 最大500 Vに対応 用途: 太陽光発電インバータ、汎用 / 産業用 / オーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

静電容量 = 3300μF電圧 = 50V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 23 (Dia.) x 32mm高さ = 32mm動作温度 Min = -40℃直径 = 23mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 10mm等価直列抵抗 = 141mΩ256シリーズ. MAL256シリーズの極性化アルミ電解コンデンサ、非固体電解質 アルミケースの上部圧力逃し弁 PET絶縁スリーブ. 有効寿命: +105 ℃で2000時間、+85 ℃では5000時間以上 電圧範囲: 16 → 100 V 用途: 一般用途、産業用途の標準及びスイッチモード電源、オーディオシステム、DC/DCコンバータ、通信、平滑化及びフィルタリング用途

静電容量 = 3300μF電圧 = 25V dc実装タイプ = ラジアル、 スルーホールテクノロジー = アルミ電解寸法 = 16 (Dia.) x 35mm高さ = 35mm動作温度 Min = -55℃直径 = 16mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 7.5mm許容差 = ±20%CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 33000μF電圧 = 25V dc実装タイプ = スクリューターミナルテクノロジー = アルミ電解寸法 = 35 (Dia.) x 80mm高さ = 80mm動作温度 Min = -40℃直径 = 35mm動作温度 Max = +85℃寿命 = 10000h許容差 = ±20%終端処理用のねじとワッシャが付属しています。. 101 PHR-STシリーズ. Vishay 101 PHR-STシリーズアルミ電解コンデンサには有極ねじ止め端子が備わっています。 101 PHR-STシリーズは、バッファ処理、フィルタ処理、モータ駆動、インバータ、UPS、パルス電源などの幅広い用途に適しています。. 長期の耐用寿命 非固体電解質 高リプル電流 ブルースリーブで絶縁

静電容量 = 33000μF電圧 = 63V dc実装タイプ = スクリューターミナルテクノロジー = アルミ電解寸法 = 65 (Dia.) x 105mm高さ = 105mm動作温度 Min = -40℃直径 = 65mm動作温度 Max = +85℃寿命 = 20000h等価直列抵抗 = 8mΩ106 PED-STシリーズ. Vishayの106 PED-STシリーズの電解コンデンサは、+85 ℃で最長20，000時間の長寿命を誇ります。また、ESRとESLがとても低いので、非常に高いリプル電流負荷に対応します。 これらのアルミ電解コンデンサは、絶縁された円筒ケースに密閉された非電解質で構成されており、充電と放電を防止します。 幅広い用途に対応し、フィルタリングと平滑化、パルスシステムにおける蓄電、産業システム、標準電源とスイッチモード電源、コンピュータと通信を含む用途に適しています。. 標準及びスイッチモードの電源に最適なPower Eurodinねじ端子 低ESR 低ESL 振動と衝撃に対する優れた耐性 高信頼性 シーリングによる圧力逃しを実現

静電容量 = 33000μF電圧 = 63V dc実装タイプ = スクリューターミナルテクノロジー = アルミ電解寸法 = 50 (Dia.) x 105mm高さ = 105mm動作温度 Min = -40℃直径 = 50mm動作温度 Max = +85℃寿命 = 10000h許容差 = ±20%終端処理用のねじとワッシャが付属しています。. 101 PHR-STシリーズ. Vishay 101 PHR-STシリーズアルミ電解コンデンサには有極ねじ止め端子が備わっています。 101 PHR-STシリーズは、バッファ処理、フィルタ処理、モータ駆動、インバータ、UPS、パルス電源などの幅広い用途に適しています。. 長期の耐用寿命 非固体電解質 高リプル電流 ブルースリーブで絶縁

抵抗 = 3kΩテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±0.1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±15ppm/℃シリーズ = MMA0204動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +175℃EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 3.3kΩテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±0.1%定格電力 = 0.07W温度係数 = ±15ppm/K自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = MMA動作温度 Min = -10℃動作温度 Max = +85℃EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 33kΩテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±0.1%定格電力 = 0.07W温度係数 = ±15ppm/K自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = MMA動作温度 Min = -10℃動作温度 Max = +85℃EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 28.6mm高さ = 7.7mmUL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm高さ = 7.7mmUL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ピーク平均順方向電流 40Aピーク逆繰返し電圧 800V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ PBピン数 4ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション回路構成 シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 400A動作温度 Max +150 ℃動作温度 Min -55 ℃ピーク順方向電圧 1.1Vピーク逆電流 500μA寸法 30.3 5.1 20.3mm高さ 20.3mmSIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+T SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装

ブリッジタイプ = 単相Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm幅 = 28.6mmUL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ブリッジタイプ = 単相Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm幅 = 28.6mmUL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 28.6mm幅 = 28.6mmUL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D 34ピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.3Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 28.5mm高さ = 9.8mmUL、E300359認定. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 単相ブリッジ整流器、高電圧電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = D 34ピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.14Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 28.5mm幅 = 28.5mmUL E300359. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-36MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = D 34ピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.11Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 28.5mm幅 = 28.5mmUL E300359. Vishay VS-26MB シリーズブリッジ整流器. 超コンパクトな密閉型単相製品です ブリッジ整流器で効率的かつ信頼性の高い動作を実現 これらは、一般的な目的や用途で使用することを目的としています 計装用途. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース センター穴固定 優れたパワー / ボリューム比 UL E300359 認定 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーではんだ付け可能 はんだ、はんだ合金 Sn / Ag / Cu ( SAC305 )、はんだ 温度： 260 → 275 ° C 工業レベルの設計と認定を受けている

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D 34ピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.25Vピーク逆電流 = 10μA寸法 = 28.5 x 28.5 x 9.8mm幅 = 28.5mmUL、E300359認定. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 単相ブリッジ整流器、高電圧電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 3.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GSIB-5Sピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 950mVピーク逆電流 = 10μA長さ = 30mm幅 = 4.6mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 3.5Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GSIB-5Sピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 10μA寸法 = 30 x 4.6 x 20mm幅 = 4.6mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン