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RoHS10物質対応(26)
「fet」の検索結果
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥339税込￥3731個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 1.8 A， 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)
VISHAY￥419税込￥4611個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 3.7 A， 3 ピン パッケージTO-220FP
VISHAY￥439税込￥4831個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 18 A， 8 ピン パッケージPowerPAK SO
VISHAY￥2,798税込￥3,0781袋(20個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 48 W幅 = 5mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
VISHAY￥149税込￥1641個3日以内出荷その他【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】80ミリオーム @ 3.7A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大3V @ 250μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】20nC @ 10V、8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)タイプ【FET】2Nチャンネル(デュアル)電流(A)(25℃での連続ドレイン(Id))：3.7機能【FET】論理レベルゲートRoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～175(TJ)実装タイプ面実装最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大電力(W)2.4
MOSFET P-Channel
VISHAY￥15,980税込￥17,5781セット(50個)7日以内出荷仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFET
VISHAY￥2,398税込￥2,6381袋(5個)7日以内出荷仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFET
VISHAY￥1,498税込￥1,6481袋(20個)7日以内出荷仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay MOSFET， 40 V， 8 A， 8 ピン パッケージSOIC
VISHAY￥1,198税込￥1,3181袋(10個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ， 34 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 3.2 W標準ターンオン遅延時間 = 11 ns， 42 nsデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 6 A， 3 ピン パッケージSOT-23
VISHAY￥1,898税込￥2,0881袋(20個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 W寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 85 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥1,098税込￥1,2081個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 57 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥4,198税込￥4,6181袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.2 A， 8 ピン パッケージPowerPAK SO
VISHAY￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1800 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 400 mA， 700 mA， 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88)
VISHAY￥1,298税込￥1,4281袋(20個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 400 mA， 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω， 578 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 340 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 VデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
