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RoHS10物質対応(30)
「fet」の検索結果
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥199税込￥219
1個
欠品中
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 1.8 A， 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)VISHAY￥299税込￥329
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOICVISHAY￥149税込￥164
1個
5日以内出荷
その他【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】80ミリオーム @ 3.7A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大3V @ 250μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】20nC @ 10V、8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)タイプ【FET】2Nチャンネル(デュアル)電流(A)(25℃での連続ドレイン(Id))：3.7機能【FET】論理レベルゲートRoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～175(TJ)実装タイプ面実装最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大電力(W)2.4
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 3.7 A， 3 ピン パッケージTO-220FPVISHAY￥379税込￥417
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 18 A， 8 ピン パッケージPowerPAK SOVISHAY￥1,998税込￥2,198
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 48 W幅 = 5mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-ChannelVISHAY￥14,980税込￥16,478
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 85 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥969税込￥1,066
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay MOSFET， 40 V， 8 A， 8 ピン パッケージSOICVISHAY￥1,098税込￥1,208
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ， 34 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 3.2 W標準ターンオン遅延時間 = 11 ns， 42 nsデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFETVISHAY￥1,698～税込￥1,868～
1袋(5個)ほか
7日以内出荷
仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFETVISHAY￥1,398税込￥1,538
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 6 A， 3 ピン パッケージSOT-23VISHAY￥1,698税込￥1,868
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 W寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 57 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥3,198税込￥3,518
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.2 A， 8 ピン パッケージPowerPAK SOVISHAY￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1800 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Dual N-Ch MOSFET SC-89-6 20V 396 mohms @VISHAY￥1,598～税込￥1,758～
1袋(50個)ほか
7日以内出荷
仕様MOSFETRoHS指令(10物質対応)対応
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFETVISHAY￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET， 20 V， 6 A， 3 ピン パッケージSOT-23 SQ Rugged シリーズVISHAY￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1AEC-Q101. NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay SemiconductorのMOSFET SQ シリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。. SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点. AEC-Q101認定 ジャンクション温度: 最高+175 ℃ 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET(R)技術 画期的な省スペースのパッケージオプションRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 400 mA， 700 mA， 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88)VISHAY￥1,298税込￥1,428
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 400 mA， 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω， 578 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 340 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 VデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
