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IGBT

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実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 0.1μs。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 0.1μs。シリーズ = VO。オプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

静電容量 = 5μF。電圧 = 1.25kV dc。許容差 = ±5%。シリーズ = MKP386M。リード間隔 = 43mm。長さ = 58mm。奥行き = 35mm。等価直列抵抗 = 2.5mΩ。寸法 = 58 x 35 x 50mm。温度特性 = ポリプロピレン。末端仕様 = ねじ取り付け。動作温度 Min = -50℃。MKP386Mシリーズ. 低クランプ電圧と電流リンギングによりEMIを低減 高パルス強度(dV/dtは最大2500 V/μs) 低インダクタンス構造(低ESL) 低ESR IGBTモジュールへの直接取り付け用 用途: 光電及び風力インバータ、モータドライブ、周波数コンバータなど

静電容量 = 1μF。電圧 = 2kV dc。許容差 = ±5%。シリーズ = MKP386M。リード間隔 = 43mm。長さ = 58mm。奥行き = 30mm。等価直列抵抗 = 4mΩ。寸法 = 58 x 30 x 45mm。温度特性 = ポリプロピレン。末端仕様 = ねじ取り付け。動作温度 Max = +85℃。MKP386Mシリーズ. 低クランプ電圧と電流リンギングによりEMIを低減 高パルス強度(dV/dtは最大2500 V/μs) 低インダクタンス構造(低ESL) 低ESR IGBTモジュールへの直接取り付け用 用途: 光電及び風力インバータ、モータドライブ、周波数コンバータなど