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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥6,198
税込¥6,818
7日以内出荷
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
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