仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET・モスフェット
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN, P
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ, 34 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 3.2 W標準ターンオン遅延時間 = 11 ns, 42 nsデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,198
税込¥1,318
7日以内出荷
IGBT
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = PowerPAIR。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,998
税込¥2,198
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥179,800
税込¥197,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = HVMDIP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 4。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 1.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.29mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥13,980
税込¥15,378
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220 FULLPAK。実装タイプ = スルーホール
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,598
税込¥1,758
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = 4マイクロフィート。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,298
税込¥1,428
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。シリーズ = LH
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥999
税込¥1,099
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 4.5 kVrms。論理出力 = あり。シリーズ = VOM
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,498
税込¥2,748
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 185 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = -3V。最低ゲートしきい値電圧 = -1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。長さ = 3.04mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,198
税込¥1,318
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
¥83,980
税込¥92,378
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 80 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 126 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 3V。最低ゲートしきい値電圧 1.2V。最大パワー消費 3.6 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 3.1mm。動作温度 Min -55 ℃mm。TrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥949
税込¥1,044
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥469
税込¥516
翌々日出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 14.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0205 o。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = HVMDIP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 4。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 1.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥16,980
税込¥18,678
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥229,800
税込¥252,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥219,800
税込¥241,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 4.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.55mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥1,998
税込¥2,198
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = ThunderFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 5.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.5mm。NチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFETR、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥159,800
税込¥175,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,298
税込¥1,428
7日以内出荷
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