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Vishay のシリコン PIN フォトダイオードは、高速かつ高感度の PIN フォトダイオードです。検出面積が 0.42 mm2 の小型表面実装デバイス( SMD )です。放射検出面積： 0.42 mm2 動作温度範囲： -40 → +110 ℃

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = SMD。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。半値幅感度角度 = ± 15 °

Vishay のシリコン PIN フォトダイオードは、高速かつ高感度の PIN フォトダイオードです。検出面積が 0.42 mm2 の小型表面実装デバイス( SMD )で、Wavelength 830 又は 950 nm で動作する IR エミッタに適合する昼光遮断フィルタを備えています。放射検出面積： 0.42 mm2 動作温度範囲： -40 → +110 ℃

検出スペクトル = デイライト。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = T-1。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。半値幅感度角度 = ±20 °

検出スペクトル = デイライト。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = 5 x 4 x 0.9 mm。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。半値幅感度角度 = ±65 °

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = GW。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 1100nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34S及びVBPW34SRシリーズは、シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 高速と高感度を実現します。 VBPW34Sデバイス及びVBPW34SRデバイスは、7.5 mm2チップを含む表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このPINフォトダイオードは、可視光線と近赤外線の放射を感知します。. VBPW34S / VBPW34SR PINフォトダイオードの特長: SMDパッケージ リードタイプ: ガルウィング(GW)及びリバースガルウィング(RGW) 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = 逆向きガルウィング。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 780nm。最大検出波長 = 1050nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34シリーズは、表面実装(SMD)シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 ガルウィング又はリバースガルウィングのリードタイプがあります。 VBPW34シリーズは、高速赤外線検出器、赤外線リモート制御、空間データ伝送システム用途などに最適です。. VBPW34 PINフォトダイオードの特長: 表面実装(SMD)黒色パッケージ GW又はRGWリード 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 近赤外線放射、可視赤外線放射。ピーク感度波長 = 920nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。増幅機能 = なし。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 380nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 2.5ns。長さ = 8.6mm。幅 = 5mm。直径 = 5mm。標準上昇時間 = 2.5ns。BPV10シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductors製のBPV10シリーズは、標準の5mm (T-1 3/4)のプラスチック製パッケージに収納されたPINフォトダイオードです。 可視光線と近赤外線の放射を両方とも感知します。. BPV10 PINフォトダイオードの特長: 高速 高い放射感度 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 放射検出面積: 0.78 mm2 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = GW。増幅機能 = なし。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 780nm。最大検出波長 = 1050nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34シリーズは、表面実装(SMD)シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 ガルウィング又はリバースガルウィングのリードタイプがあります。 VBPW34シリーズは、高速赤外線検出器、赤外線リモート制御、空間データ伝送システム用途などに最適です。. VBPW34 PINフォトダイオードの特長: 表面実装(SMD)黒色パッケージ GW又はRGWリード 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 870nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5.4mm。幅 = 4.3mm。高さ = 3.2mm。絶縁破壊電圧 = 60V。BP104シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBP104シリーズはPINフォトダイオードのグループです。昼光フィルタ付きフラットトップのプラスチック製小型パッケージに収納されています。BP104シリーズに適した用途には、高速の赤外線検出器、赤外線リモコン、空間データ伝送システムなどがあります。BP104は、TSALシリーズの赤外線エミッタと併用できます。. BP104 PINフォトダイオードの特長: トップビューパッケージ 寸法: 5.4 x 4.3 x 3.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 950nm。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 3mm。高さ = 6.4mm。標準上昇時間 = 100ns。BPW83シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBPW83シリーズはPINフォトダイオードのファミリです。 これらの製品は、昼光フィルタの付いた側方監視の黒色プラスチック製パッケージに収納されているので、周囲の可視光を遮断します。 BPW83フォトダイオードに最適な用途: 高速な赤外線検出器、空間データ伝送システム及び赤外線リモコン. BPW83 PINフォトダイオードの特長: スルーホール取り付け サイドビュー 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 4.24mm。高さ = 1.12mm。自動車規格 = AEC-Q101V。TEMD5010シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5010シリーズのシリコンPINフォトダイオードです。小型表面実装(SMD)パッケージに収容されており、感知面積が7.5 mm2のチップを搭載しています。TEMD5010は、可視光と近赤外線をどちらも検知します。高速光検出器用途に最適です。. TEMD5010フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 高い放射感度 高感光性 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線， 紫外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 350nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 40ns。長さ = 5mm。幅 = 5mm。高さ = 1.12mm。標準上昇時間 = 40ns。TEMD5080シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5080シリーズは、青色光の感度を高めたPINフォトダイオードファミリです。透明エポキシの小型SMDパッケージに収容されています。このパッケージには、感知面積が7.7 mm2のチップが搭載されています。TEMD5080は、高速光検出器用途に最適です。. TEMD5080フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 青色光の感度を向上 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = GW。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 780nm。最大検出波長 = 1050nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBP104シリーズPINフォトダイオード

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 5mm。高さ = 1.12mm。標準上昇時間 = 100ns。TEMD51x0シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのこのファミリのPINフォトダイオードは、表面実装(SMD)上方監視パッケージに収納されています。 高速と高感度を実現し、870 → 950 nmの波長で動作します。 TEMD51x0シリーズに適した用途には、赤外線放射検出器、赤外線リモート制御、データ転送システムなどがあります。. TEMD51x0フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.25 x 1.12 各種の放射検出面積 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = T-1。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 350nm。最大検出波長 = 1120nm。高さ = 4.5mm。直径 = 3.2mm。TEFD4300シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor TEFD4300シリーズは、高い放射感度のシリコンPINフォトダイオードです。 これらはクリアフィルタ / 昼光フィルタから選択可能な標準3 mm (T-1)スルーホールパッケージ形式で提供されます。 最適な用途には、データ伝送用の高速な光検出器、光学スイッチ、カウンタ、分類器、遮断器、エンコーダ、位置センサなどがあります。. 特長:. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm )： O 3 高い放射感度 可視光線および近赤外放射に適しています 高速な応答時間 半感度の角度：冷間距離 = ± 20 ° IR エミッタシリーズ VSLB3940 に適合したパッケージ. 用途:. データ転送用の高速光検出器 光スイッチ カウンタとソート 遮断器 エンコーダ センサを配置する

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 2.5ns。長さ = 5.75mm。幅 = 5.75mm。高さ = 8.6mm。ピークフォト感度 = 0.55A/W。標準上昇時間 = 2.5ns。BPV10NFシリーズフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのBPV10NFシリーズのシリコンPINフォトダイオードファミリです。この製品は、黒色プラスチックレンズと昼光フィルタを備えた5 mm (T-1 3/4)標準パッケージに収容されています。BPV10NFフォトダイオードは、放射感度の高い高速デバイスです。BPV10NFシリーズに適した用途には、赤外線検出器、赤外線リモコン、空間データ伝送システムなどがあります。この製品は、TSFFシリーズの赤外線エミッタと併用できます。. BPV10NF PINフォトダイオードの特長: T-1 3/4 (5 mm)パッケージ スルーホール取り付け 昼光色フィルタの付いた黒色のプラスチックパッケージ 高い放射感度 高帯域幅 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 4000μA。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = 74 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 側方監視。寸法 = 5 x 2.65 x 5mm。コレクター電流 = 100mA。感度スペクトルレンジ = 850 → 980 nmnm。高さ = 5mm。TEKT5400シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のTEKT5400シリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタです。 これらの製品は側方監視のスルーホールパッケージに収納されています。 これらの製品は、昼光フィルタを備え、周囲の可視光を遮断する黒色のプラスチック製パッケージに収納されています。 TEKT5400フォトトランジスタは、電子制御や駆動回路における検出器としての使用に最適です。. 特長と利点:. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形態：サイドビューレンズ 寸法( L ；font face="symbol">´ ；/font> W ；font face="symbol">´ ；/font> H ；font face="symbol">´ ；/font> mm )： 5 ；font face="symbol">´ ；/font> 2.65 ；font face="symbol">´ ；/font> 5 高い放射感度 940 nm に適合する昼光遮断フィルタ エミッタ 高速な応答時間 半感度の角度：冷間距離 = ± 37 ° 赤外線エミッタシリーズ TSKS5400S と組み合わせたパッケージ. 用途:. 電子制御および駆動回路の検出器

実装タイプ スルーホール実装。出力デバイス フォトダイオード。最大順方向電圧 1.5V。チャンネル数 1。ピン数 8。パッケージタイプ SMD。標準上昇時間 1.75μs。最大入力電流 60 mA。絶縁電圧 5300 Vrms。標準降下時間 1.75μs。シリーズ IL300。IL300 リニアオプトカプラは、 AlGaAs IRLED から構成され、絶縁フィードバックと出力 PIN フォトダイオードを分岐配置で照射します。フィードバックフォトダイオードは、 LED 光束の一部をキャプチャし、制御信号( IP1 )を生成して、のサーボに使用できます LED 駆動電流この技術は、 LED の非線形、時間、および温度特性を補正します。出力 PIN フォトダイオードは、 LED が生成するサーボ光束と直線的に関連する出力信号( IP2 )を生成します。 入力 出力カプラゲイン( K3 )の時間と温度安定性は、 LED の出力フラックスを正確に追跡する PIN フォトダイオードと一致することによって保証されています。特長 AC 信号と DC 信号を結合します 0.01 サーボ直線性 広い帯域幅 、 200kHz 高ゲイン安定性(通常 0.005 %/ C 低入出力静電容量 低消費電力 、 15mW 絶縁定格電圧： 4420 VRMS 内部絶縁距離 ： 0.4 mm 用途 電源フィードバック電圧 電流 医療用センサの絶縁 オーディオ信号インターフェイス 分離されたプロセス制御トランスデューサ デジタル電話の絶縁 代理店の承認 UL cUL オプション で DIN EN60747-5-5 VDE0884-5 )を使用可能 BSI FIMKO CQC

最大伝送距離 = 1m。エミッターピーク波長 = 900nm。最大伝送速度 = 115.2kbit/s。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。パッケージタイプ = 超小型プロファイル。寸法 = 9.7 x 4.7 x 4mm。高さ = 4.7mm。長さ = 9.9mm。幅 = 4.2mm。TFDU4101 IrDAトランシーバモジュール. フォトPINダイオード、赤外線エミッタ(IRED)、低電力制御ICが組み込まれたトランシーバモジュールで、1つのパッケージで完全なフロントエンドソリューションを提供します。. 最大115.2 kbit/sのIrDA速度をサポート(SIR) 2.4 → 5.5 Vで動作 スプリット電源。トランスミッタとレシーバは、2つの電源で動作可能 低消費電力 電源シャットダウンモード 表面実装パッケージ。寸法: 9.7 x 4.7 x 4.0 mm