「posh」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = PowerPAIR。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8L。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 28 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 3.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 19 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 190 V。パッケージタイプ = PowerPAK SC-75。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 29.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.26mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装