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静電容量 = 47pF。電圧 = 1kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = 561R。許容差 = ±5%。温度特性 = C0G、NP0。直径 = 11.2mm。奥行き = 4mm。寸法 = 11.2 (Dia.) x 43.2mm。末端仕様 = ラジアル℃。561Rシリーズセラミックコンデンサ. Vishayの561Rシリーズセラミックコンデンサです。 どのモデルも高い信頼性と優れた品質を誇ります。. 容量はモデルごとに異なる すべてのコンデンサはラジアル型

静電容量 = 4.7nF。電圧 = 3kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = 564R。許容差 = ±10%。温度特性 = X7R。直径 = 18.3mm。奥行き = 4.4mm。寸法 = 18.3 (Dia.) x 50.3mm。コンデンサファミリ = 単層℃。564Rシリーズセラミックコンデンサ. Vishay 564R シリーズの単層 DC セラミックディスクコンデンサは、高い安定性が求められる照明バラスト、SMPS、その他の DC 用途向けに設計されています。このコンデンサはセラミックディスクで構成されており、両側に銀めっきが施され、難燃性エポキシ樹脂でコーティングされています。. 小型で大きな静電容量 低損失 高信頼性 スズメッキされた銅製のラジアルリード

抵抗 = 470mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2512型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 4.7kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

RWM6x34シリーズ8W、軸。エナメル塗装巻線型電力抵抗器アキシャルリード線耐火性

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.47 uH で、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品であるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフ

インダクタンス = 470 nH。最大直流電流 = 11.5A。パッケージ/ケース = 2080。長さ = 5.4mm。奥行き = 2mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。IHLP2020BZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-2020BZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2020BZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.47 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は、47 uH のインダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 M

インダクタンス = 0.47 μH。最大直流電流 = 125A。実装タイプ = ラジアル。最大直流抵抗 = 0.30mΩ。許容差 = ±20%。直径 = 28.5mm。高さ = 10.7mm。寸法 = 28.5 (Dia.) x 10.7mm。最大自己共振周波数 = 57.25MHz。リード間隔 = 14.7mm。シリーズ = IHTH-1125KZ-5A。リード径 = 3.3mm。AEC-Q200認定. IHTH1125シリーズ高電流スルーホール、高温度インダクタ. 車載用途向けのIHTHシリーズ高電流スルーホール、高温インダクタです。 これらのインダクタはシールド付き構造になっており、最高で1 MHzの優れたDC/DCエネルギー蓄積機能を備えています。 IHTHインダクタは、飽和せずに高い過渡電流スパイクを処理します。また、コンポジット構造になっているので、電磁騒音を極めて低く抑えられます。 このIHTH高電流インダクタは、2ピン(0.47 → 47 uH)と3ピン(68 → 100 uH)を備えています。. 用途. ディーゼル噴射ドライバ エンジン / トランスミッションの制御ユニット 娯楽 / ナビゲーションシステム用のDC/DCコンバータ モータ用のノイズ抑制 - フロントガラスのワイパー - パワーシート - パワーミラー - HID照明 - 暖房 / 換気ブロワー LEDドライバ

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 47Ω。許容差 ±5%。定格電力 200W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 ボルトオン。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 27 168mm。直径 27mm。長さ 168mm。動作温度 Min -55℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

抵抗 47Ω。許容差 ±5%。定格電力 100W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 フランジ取り付け。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 22 117mm。直径 22mm。長さ 117mm。動作温度 Min -55℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性