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静電容量 = 4.7nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.5 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.5mm。高さ = 4mm。シリーズ = K472K。末端仕様 = ラジアル。Mono Kap溶融ラジアルコンデンサ. X7R誘電体 均一なコーティング ラジアルパッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥899
税込¥989
翌々日出荷
静電容量 = 10nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.5 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.5mm。高さ = 4mm。シリーズ = K103K。末端仕様 = ラジアル。Mono Kap溶融ラジアルコンデンサ. X7R誘電体 均一なコーティング ラジアルパッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥749
税込¥824
翌々日出荷
静電容量 = 10nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
¥27,980
税込¥30,778
7日以内出荷
静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。動作温度 Max = +125℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
¥28,980
税込¥31,878
7日以内出荷
静電容量 = 220nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 5 x 3.2 x 5mm。長さ = 5mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 5mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
¥55,980
税込¥61,578
7日以内出荷
静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。末端仕様 = ラジアル℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥39
税込¥43
5日以内出荷
静電容量 = 47nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥989
税込¥1,088
7日以内出荷
静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±20%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥1,198
税込¥1,318
7日以内出荷
静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(1000個)
¥9,898
税込¥10,888
7日以内出荷
静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.5 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.5mm。高さ = 4mm。シリーズ = K104K。末端仕様 = ラジアル。Mono Kap溶融ラジアルコンデンサ. X7R誘電体 均一なコーティング ラジアルパッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
¥88,980
税込¥97,878
7日以内出荷
仕様検出スペクトル = 赤外線, 可視光ピーク感度波長 = 920nmパッケージタイプ = TO-5実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 400nm最大検出波長 = 1100nm長さ = 9.1mm幅 = 9.1mm高さ = 3.1mm極性 = 順方向BPW20 / BPW21シリーズフォトダイオード. Vishay Semiconductor製BPW20 / BPW21シリーズのシリコンフォトダイオードは、標準のTO-5パッケージに収納されています。ハーメチックシール構造のパッケージのBPW20 / BPW21は高精度のリニア用途に最適です。BPW20 / BPW21フォトダイオードに適した用途には、カメラ、光度計、カラーアナライザ、露出計の光測定用センサ、その他の一般的な医療 / 産業向けの測定 / 制御などがあります。. BPW20 / BPW21フォトダイオードの特長: フラットガラスレンズの付いたTO-5パッケージ 直径: 8.13 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 半輝度角度: 50 ° 低暗電流 高直線性
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥739
税込¥813
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥199
税込¥219
当日出荷
仕様アクセサリタイプ = ブラケット併用 = 巻線抵抗巻線型 -調整可能 - ブラケット. これらのVishayブランドの巻線型可変ブラケットは、電気コンタクトを形成せず、デバイスとの干渉を発生せずに抵抗器を支持及び固定するように設計されています。 耐腐食性のある金属で作られたこれらの製品は、絶縁された接続箇所で固定する抵抗器に取り付けるように設計されています。このため、絶縁されていないパネルに取り付けることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥5,998
税込¥6,598
翌々日出荷
アクセサリタイプブラケット
併用可能製品巻線抵抗
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥759
税込¥835
翌々日出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,998
税込¥2,198
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥299
税込¥329
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥379
税込¥417
翌々日出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥119
税込¥131
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥349
税込¥384
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥229
税込¥252
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥319
税込¥351
5日以内出荷
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