チャンネルタイプ = N, P。最大連続ドレイン電流 = 190 mA, 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SC-89-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω, 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 250 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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