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Vishay 1 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

MOSFET・モスフェット

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大負荷電流 = 200 mA。取り付けタイプ = 表面実装。最大負荷電圧 = 200 V。接点構成 = SPST-NO。出力装置 = MOSFET

最大負荷電流 = 150 mA。取り付けタイプ = 表面実装。最大負荷電圧 = 350 V。接点構成 = SPDT， SPST。出力装置 = MOSFET

最大負荷電流 = 0.25 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 350 V。最大電圧制御 = 1.5 V。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。定格電圧範囲 = 350V ac。寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm。奥行き = 6.5mm。オプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。シリーズ = LH

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 4.5 kVrms。論理出力 = あり。シリーズ = VOM

Vishay 700 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

Vishay 200 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

Vishay 1 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

Vishay 100 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

Vishay の 3 MoHM 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、及び電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は

Vishay 1 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

Vishay 1 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

Vishay 100 Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

Vishay 100 Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ