「sot23」の検索結果

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.04mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 80 Vパッケージタイプ SOT-23実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 126 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 3.6 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 3.1mm動作温度 Min -55 ℃mmTrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmNチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23-3 (TO-236)実装タイプ = 表面実装

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 800mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm標準電圧温度係数 = -0.015%/℃ツェナーダイオード300 mW、BZX84シリーズ、Vishay Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 19.2V最小ブレークダウン電圧 = 9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 8Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 18AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.43mmESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護