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RoHS10物質対応(7)
「to-16a」の検索結果
特価
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Vishay サイリスタ， SCR， 16A， 800V， VS-16RIA80VISHAY￥2,398税込￥2,638
1個
5日以内出荷
定格平均オン電流 = 16Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-48繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 360A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 60mA最大ゲートトリガー電圧 = 2V最大保持電流 = 130mAピン数 = 2繰返しピークオフステート電流 = 10mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay サイリスタ， SCR， 16A， 600V， VS-16RIA60VISHAY￥2,598税込￥2,858
1個
5日以内出荷
定格平均オン電流 = 16Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-48繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 360A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 60mA最大ゲートトリガー電圧 = 2V最大保持電流 = 130mAピン数 = 2繰返しピークオフステート電流 = 10mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 16 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンVISHAY￥619税込￥681
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 15.87mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 汎用 整流ダイオード， 16A， 600V スルーホール， 2-Pin TO-220AC シリコンジャンクション 1.5VVISHAY￥8,298税込￥9,128
1セット(50個)
7日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AC最大連続 順方向電流 = 16Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 250A超高速回復整流器(16 → 330 A)、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 16A， 60V， 2-Pin TO-220ACVISHAY￥239税込￥263
1個
予約販売
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃高性能ショットキー整流器、16 → 25 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 16 A， 3 ピン パッケージTO-247ACVISHAY￥639税込￥703
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 280 W標準ターンオン遅延時間 = 17 nsNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
