「v10」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 620mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

Vishay 6800 μ F アルミ電解コンデンサは低 ESR レベルを特長としており、非常に高いリプル電流性能を発揮します。アキシャルリードと円筒型アルミケースがあり、ブルースリーブで絶縁されています。超長寿命 高リプル電流 高温

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.56 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

静電容量 = 220μF。テクノロジー = 電解。電圧 = 10V dc。取り付けタイプ = スルーホール。寸法 = 6 (Dia.) x 10mm。長さ = 10mm。直径 = 6mm。動作温度 Min = -40℃。動作温度 Max = +85℃。シリーズ = 021 ASM。許容差 = ±20%。CEI384-4、DIN41316. Vishay 021 ASMシリーズアルミ電解コンデンサ. Vishayの021 ASM電解コンデンサは、青いスリーブで絶縁された円筒型アルミケースから製造されています。この電解コンデンサは、非固体電解物を使用し、充放電耐性があります。021 ASM電解コンデンサは、+85 ℃で2500 ～ 8000時間の長寿命が特長です。. 特長:. 長寿命： 2500 時間 ～ 8000 時間( 85 ° C 小型化された高 CV 製品 / ユニット容量 充電及び放電防止 テープ付きタイプは、ケース O 15 mm x 30 mm まで 自動挿入に対応しています 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体 電解液 アキシャルリード、円筒形アルミケース、で絶縁 青いスリーブ 絶縁型では取り付けリングタイプを用意していない. 用途:. 汎用、工業用、自動車用、オーディオビデオ カップリング、デカップリング、平滑化、フィルタリング、バッファリング ポータブル機器およびモバイル機器 ( 小型、低質量 ) 実装高さの低いボード、振動、衝撃 耐性

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MicroMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = <15Ω。最大逆漏れ電流 = <2μA。寸法 = 2 x 1.2 x 1.2mm。動作温度 Max = +175 ℃%/K。ツェナーダイオード500 mW、BZM55シリーズ、Vishay Semiconductor

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 2.5mm。許容差 = ±20%。高さ = 7.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 7.5mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

静電容量 = 100μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = アキシアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 4.5 (Dia.) x 10mm。長さ = 10mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 4.5mm。動作温度 Max = +85℃。寿命 = 2500h。等価直列抵抗 = 3.2Ω。CEI384-4、DIN41316. Vishay 021 ASMシリーズアルミ電解コンデンサ. Vishayの021 ASM電解コンデンサは、青いスリーブで絶縁された円筒型アルミケースから製造されています。この電解コンデンサは、非固体電解物を使用し、充放電耐性があります。021 ASM電解コンデンサは、+85 ℃で2500 ～ 8000時間の長寿命が特長です。. 特長:. 長寿命： 2500 時間 ～ 8000 時間( 85 ° C 小型化された高 CV 製品 / ユニット容量 充電及び放電防止 テープ付きタイプは、ケース O 15 mm x 30 mm まで 自動挿入に対応しています 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体 電解液 アキシャルリード、円筒形アルミケース、で絶縁 青いスリーブ 絶縁型では取り付けリングタイプを用意していない. 用途:. 汎用、工業用、自動車用、オーディオビデオ カップリング、デカップリング、平滑化、フィルタリング、バッファリング ポータブル機器およびモバイル機器 ( 小型、低質量 ) 実装高さの低いボード、振動、衝撃 耐性

検出スペクトル = 近赤外線放射、可視赤外線放射。ピーク感度波長 = 920nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。増幅機能 = なし。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 380nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 2.5ns。長さ = 8.6mm。幅 = 5mm。直径 = 5mm。標準上昇時間 = 2.5ns。BPV10シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductors製のBPV10シリーズは、標準の5mm (T-1 3/4)のプラスチック製パッケージに収納されたPINフォトダイオードです。 可視光線と近赤外線の放射を両方とも感知します。. BPV10 PINフォトダイオードの特長: 高速 高い放射感度 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 放射検出面積: 0.78 mm2 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 2.5ns。長さ = 5.75mm。幅 = 5.75mm。高さ = 8.6mm。ピークフォト感度 = 0.55A/W。標準上昇時間 = 2.5ns。BPV10NFシリーズフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのBPV10NFシリーズのシリコンPINフォトダイオードファミリです。この製品は、黒色プラスチックレンズと昼光フィルタを備えた5 mm (T-1 3/4)標準パッケージに収容されています。BPV10NFフォトダイオードは、放射感度の高い高速デバイスです。BPV10NFシリーズに適した用途には、赤外線検出器、赤外線リモコン、空間データ伝送システムなどがあります。この製品は、TSFFシリーズの赤外線エミッタと併用できます。. BPV10NF PINフォトダイオードの特長: T-1 3/4 (5 mm)パッケージ スルーホール取り付け 昼光色フィルタの付いた黒色のプラスチックパッケージ 高い放射感度 高帯域幅 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

静電容量 = 1pF。電圧 = 1kV dc。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = 561R。許容差 = ±5%。温度特性 = C0K (P100)。直径 = 6.4mm。奥行き = 4mm。寸法 = 6.4 (Dia.) x 38.4mm。末端仕様 = ラジアル℃。561Rシリーズセラミックコンデンサ. Vishayの561Rシリーズセラミックコンデンサです。 どのモデルも高い信頼性と優れた品質を誇ります。. 容量はモデルごとに異なる すべてのコンデンサはラジアル型

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

NFC93110、CEI384-4。031 ASシリーズ。高いCV値を提供する小型アキシャル電解コンデンサ カップリング、デカップリング、平滑化、フィルタリング、バッファリング、タイミング機能用 用途: オーディオ及びビデオ回路の接続、測定、調整。想定寿命2000時間

静電容量 = 2200μF。電圧 = 10V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 25mm

静電容量 = 47μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = アキシアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 4.5 (Dia.) x 10mm。長さ = 10mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 4.5mm。動作温度 Max = +85℃。寿命 = 3000h。等価直列抵抗 = 6.78Ω。030 ASシリーズ. 想定寿命2000時間

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MiniMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.7mm。幅 = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 1.6 x 3.7 x 1.6mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

静電容量 = 1000μF。電圧 = 10V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 20mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 10V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 6.5 x 18mm

静電容量 = 1000μF。電圧 = 10V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 30mm

静電容量 = 470μF。電圧 = 10V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 8 x 8 x 10mm