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汎用ガラス封止アバランシェダイオードガラスパシベーションジャンクション密閉パッケージ低逆電流AEC-Q101認定

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 37 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

抵抗 = 150Ωテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = 2512 (6432M)許容差 = ±0.1%定格電力 = 6W温度係数 = ±25ppm/℃シリーズ = PCAN動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃Vishay PCANシリーズ2512ラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0

抵抗 = 150Ωテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = 1206 (3216M)許容差 = ±0.1%定格電力 = 2W温度係数 = ±25ppm/℃シリーズ = PCAN動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃Vishay PCANラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0

抵抗 = 75Ωテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = 1206 (3216M)許容差 = ±0.1%定格電力 = 2W温度係数 = ±25ppm/℃シリーズ = PCAN動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃Vishay PCANラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = μSMPダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 2.3mm幅 = 1.4mm高さ = 0.73mm寸法 = 2.3 x 1.4 x 0.73mm標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-213ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 5.2mm寸法 = 5.2 x 2.67mm直径 = 2.67mmVishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40AVishay Semiconductor 高性能ショットキーダイオード. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishayの高性能ショットキーダイオードは、1 → 175 Aの正方向定格電流、15 → 150 Vの定格電圧を持っています。

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-213ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1.25V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 5.2mm寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm直径 = 2.67mm超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-213ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 5.2mm寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm直径 = 2.67mm超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 16mm幅 = 16mmUL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 170Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm動作温度 Max = +175 ℃%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 50Vパッケージタイプ = MicroMELFダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 2pF動作温度 Max = +175 ℃長さ = 2mm寸法 = 1.2 (Dia.) x 2mm直径 = 1.2mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Max = +175 ℃%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-80ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 40μA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Max = +175 ℃%/Kツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = MiniMELFピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.7mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-213AAダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.68mm寸法 = 3.683 x 1.67mm直径 = 1.67mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 150mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = Quadro Melfダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.5mm幅 = 1.7mm高さ = 1.5mm寸法 = 3.5 x 1.7 x 1.5mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = MiniMELFダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.7mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 1.6 x 3.7 x 1.6mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示