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Wurth 0402 WE-MKシリーズ積層セラミックインダクタ. Wurth WE-MKシリーズ0402積層セラミックインダクタは、高周波回路での使用に適しています。 巻線はセラミック基板に印刷されています。 これらのインダクタは、幅広い温度にわたり安定したインダクタンス、5 %、±0.3 NHのインダクタンス許容差、非常に高い自己共振周波数を備えています。 このシリーズには、リフロー又はウェーブはんだ付けが推奨されます。 このSMDインダクタに最適な用途には、ポケットベル、発振器、ラップトップ、PCMCIAカード、Bluethooth、ワイヤレスLAN、フィルタ回路などがあります。

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Wurth 0402 WE-KIシリーズ巻線型セラミックインダクタ. Wurth WE-KIシリーズ0402 SMD巻線型セラミックインダクタは、高周波用途向けに設計されています。 このシリーズは、最大12.5 GHzという考えられる最高の自己共振周波数を実現し、優れたQファクタと高い熱安定性を発揮します。 このセラミックインダクタに適した用途には、ワイヤレスLAN、Bluethooth、RFトランシーバ / 通信などがあります。 このシリーズ製品には、リフローはんだ付けが推奨されます。

Wurth 0402 WE-KIシリーズ巻線型セラミックインダクタ. Wurth WE-KIシリーズ0402 SMD巻線型セラミックインダクタは、高周波用途向けに設計されています。 このシリーズは、最大12.5 GHzという考えられる最高の自己共振周波数を実現し、優れたQファクタと高い熱安定性を発揮します。 このセラミックインダクタに適した用途には、ワイヤレスLAN、Bluethooth、RFトランシーバ / 通信などがあります。 このシリーズ製品には、リフローはんだ付けが推奨されます。

Wurth Elektronik WP-Rafe REDCUBE ねじ Terminal は、頑丈な構造で、材料の表面にスズめっき銅が施されたプレスフィット実装では、基板への保持力が大きく、はんだ O よりもしっかり固定されます動作温度： -55 → +150 ℃ 耐湿性レベル( MSL ) 1。締め付けトルク： 0.5 N m

高周波製品シリーズ 取り付けスタイル : SMT チップ セラミック： NP0 (クラス I ) 静電容量範囲： 0.2pF ～ 33pF 温度係数 : ± 30ppm/ ℃ 電圧範囲( UR )： 25 ～ 50 V ( DC ) 動作温度： -55 ℃ ～ +125 ℃ サイズ :0201/0402 終端: Cu / Ni / Sn 推奨はんだ付け : リフローはんだ付け 用途 高周波用途 アンテナマッチング

高周波製品シリーズ 取り付けスタイル : SMT チップ セラミック： NP0 (クラス I ) 静電容量範囲： 0.2pF ～ 33pF 温度係数 : ± 30ppm/ ℃ 電圧範囲( UR )： 25 ～ 50 V ( DC ) 動作温度： -55 ℃ ～ +125 ℃ サイズ :0201/0402 終端: Cu / Ni / Sn 推奨はんだ付け : リフローはんだ付け 用途 高周波用途 アンテナマッチング

高周波製品シリーズ 取り付けスタイル : SMT チップ セラミック： NP0 (クラス I ) 静電容量範囲： 0.2pF ～ 33pF 温度係数 : ± 30ppm/ ℃ 電圧範囲( UR )： 25 ～ 50 V ( DC ) 動作温度： -55 ℃ ～ +125 ℃ サイズ :0201/0402 終端: Cu / Ni / Sn 推奨はんだ付け : リフローはんだ付け 用途 高周波用途 アンテナマッチング

高周波製品シリーズ 取り付けスタイル : SMT チップ セラミック： NP0 (クラス I ) 静電容量範囲： 0.2pF ～ 33pF 温度係数 : ± 30ppm/ ℃ 電圧範囲( UR )： 25 ～ 50 V ( DC ) 動作温度： -55 ℃ ～ +125 ℃ サイズ :0201/0402 終端: Cu / Ni / Sn 推奨はんだ付け : リフローはんだ付け 用途 高周波用途 アンテナマッチング

高周波製品シリーズ 取り付けスタイル : SMT チップ セラミック： NP0 (クラス I ) 静電容量範囲： 0.2pF ～ 33pF 温度係数 : ± 30ppm/ ℃ 電圧範囲( UR )： 25 ～ 50 V ( DC ) 動作温度： -55 ℃ ～ +125 ℃ サイズ :0201/0402 終端: Cu / Ni / Sn 推奨はんだ付け : リフローはんだ付け 用途 高周波用途 アンテナマッチング

高周波製品シリーズ 取り付けスタイル : SMT チップ セラミック： NP0 (クラス I ) 静電容量範囲： 0.2pF ～ 33pF 温度係数 : ± 30ppm/ ℃ 電圧範囲( UR )： 25 ～ 50 V ( DC ) 動作温度： -55 ℃ ～ +125 ℃ サイズ :0201/0402 終端: Cu / Ni / Sn 推奨はんだ付け : リフローはんだ付け 用途 高周波用途 アンテナマッチング

Wurth 1008 WE-KIシリーズ巻線型インダクタ. Wurth WE-KIシリーズ1008 SMD巻線型セラミックインダクタは、高周波用途向けに設計されています。 このシリーズは、最大12.5 GHzという考えられる最高の自己共振周波数を実現し、優れたQファクタと高い熱安定性を発揮します。 このセラミックインダクタに適した用途には、ワイヤレスLAN、Bluethooth、RFトランシーバ / 通信などがあります。 このシリーズ製品には、リフローはんだ付けが推奨されます。

高容量安定性取り付けスタイル：SMTチップセラミック：NP0(クラスI)、X7R(クラスII)静電容量範囲：33pF4.7NF温度係数±30ppm/℃、±0.54%/℃(NP0)X7Rの場合は±15%電圧範囲(UR)：250V(AC)動作温度範囲:-55℃→125℃サイズ：1808/1812/2211/2220終端：Ag/Ni/Snリフローはんだ付けに推奨されます用途干渉抑制電源のフィルタ

高性能セラミック高い電気的精度と安定性を備えたセラミック(NP0の場合は特にNP0では、劣化が進行中です取り付けスタイル：SMTチップセラミック：NP0(クラスI)、X5R(クラスII)、X7R(クラスII)静電容量範囲：1pF10μF温度係数±30ppm/℃、±0.54%(NP0)X5R及びX7Rの場合は±15%電圧範囲(UR)：6.3100V(DC)動作温度:NP0及びX7Rの場合は、-55→+125℃X5Rは-55→+85℃終端:Cu/Ni/Snリフローはんだ付けに推奨されます用途温度補償(NP0)カップリングデカップリングバイパス平滑化フィルタリング共振回路

高性能セラミック 高い電気的精度と安定性を備えたセラミック( NP0 の場合は特に NP0 では、劣化が進行中です 取り付けスタイル： SMT チップ セラミック： NP0 (クラス I )、X5R (クラス II )、X7R (クラス II ) 静電容量範囲： 1 pF 47 μ F 温度係数 ± 30 ppm/ ℃、± 0.54 % ( NP0 ) X7R 及び X5R は ± 15 % 電圧範囲( UR )： 6.3 100

高性能セラミック 高い電気的精度と安定性を備えたセラミック( NP0 の場合は特に NP0 では、劣化が進行中です 取り付けスタイル： SMT チップ セラミック： NP0 (クラス I )、X5R (クラス II )、X7R (クラス II ) 静電容量範囲： 1 pF 100 μ F 温度係数 ± 30 ppm/ ℃、± 0.54 % ( NP0 ) X7R 及び X5R は ± 15 % 電圧範囲( UR )： 6.3 10

WR-TBL W u rth Elektronik 端子台です W u rth Elektronik の Terminal Block ポートフォリオは、基板に電力を供給することを念頭に置いています。ワイヤプロテクタ、ライジングケージクランプ、スプリングクランプ、プラグ式システムなどの新製品が加わっています。2.50 mm → 10.16 mm ピッチ、57 A、最大 12 極数

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