nexperia
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Nexperia ツェナーダイオード, 4.7V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia当日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -1.4mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 15V, 500 mW, 2-Pin SOD27 (DO-35)nexperia(1件のレビュー)翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD27 (DO-35)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±2 %, ±5 %ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 1 mA長さ = 4.25mm直径 = 1.85mm寸法 = 1.85 (Dia.) x 4.25mmパワー消費 = 500mWツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 12V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia(1件のレビュー)当日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 12V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 9.1V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia(1件のレビュー)当日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 9.1V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
Nexperia ツェナーダイオード, 4.3V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -2.5mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, 250mA, 200V, 2-Pin DO-35nexperia当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 4.25mm幅 = 1.85mm高さ = 1.85mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 200 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-89nexperia翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 49 nsNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 33V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia翌々日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 33V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 2.4V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia当日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -1.6mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 18V, 500 mW, 2-Pin SOD27 (DO-35)nexperia当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD27 (DO-35)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±2 %, ±5 %ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 225 Ω @ 1 mA長さ = 4.25mm直径 = 1.85mm寸法 = 1.85 (Dia.) x 4.25mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, 250mA, 125V, 2-Pin DO-34,エレメント数 1, シングルnexperia翌々日出荷
仕様最大順方向電流 = 250mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 125Vパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.04 x 1.6 x 1.6mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, 1A, 20V, 2-Pin I-IGIAnexperia翌々日出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 6Aショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ バッファ / コンバータ, 3ステート 非反転, 1.2~5.5 V, 6-Pin SC-88nexperia翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = トランシーバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-88ピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 31.8ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作供給電圧 Min = 1.2 VRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 6-Pin SOT-457 (SC-74)nexperia翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = カレントミラー最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2幅 = 1.7mm汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 基準電圧IC, 出力:2.5 - 36V, 3ピン SOT-23nexperia翌々日出荷
仕様公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 37 V出力電圧 Min = 2.495 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mmTL431シャントレギュレータ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーダイオード, 120mA, 40V, 3-Pin SOT-323 (SC-70),エレメント数 2, シリーズnexperia翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 40Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = ショットキー最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1.1mm寸法 = 2.2 x 1.35 x 1.1mmショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, 5A, 30V, 2-Pin SOD-128nexperia翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 360mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 150mA, 100V, 3-Pin SOT-323 (SC-70)nexperia翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 8.2V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 700nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
Nexperia ツェナーダイオード, 3V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia(1件のレビュー)翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMTnexperia翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応