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Nexperia Nチャンネル MOSFET, 30 V, 100 A, 3 ピン パッケージTO-220AB nexperiaNexperia Nチャンネル MOSFET, 30 V, 100 A, 3 ピン パッケージTO-220ABnexperia
2,298税込2,528
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 基準電圧IC, 出力:2.5 - 36V, 3ピン SOT-23 nexperiaNXP 基準電圧IC, 出力:2.5 - 36V, 3ピン SOT-23nexperia
2,498税込2,748
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仕様公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 37 V出力電圧 Min = 2.495 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mmTL431シャントレギュレータ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Pチャンネル MOSFET, 50 V, 150 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70) nexperiaNexperia Pチャンネル MOSFET, 50 V, 150 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)nexperia
1,098税込1,208
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 150 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 310 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 320 mA, 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88) nexperiaNexperia デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 320 mA, 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88)nexperia
1,598税込1,758
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 320 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 320 mW標準ターンオン遅延時間 = 2 nsデュアルNチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 nexperiaNexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23nexperia
2,298税込2,528
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm汎用PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーダイオード, 120mA, 40V, 3-Pin SOT-323 (SC-70),エレメント数 2, シリーズ nexperiaNexperia ショットキーダイオード, 120mA, 40V, 3-Pin SOT-323 (SC-70),エレメント数 2, シリーズnexperia
829税込912
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仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 40Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = ショットキー最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1.1mm寸法 = 2.2 x 1.35 x 1.1mmショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET, 60 V, 360 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 nexperiaNexperia Nチャンネル MOSFET, 60 V, 360 mA, 3 ピン パッケージSOT-23nexperia
1,998税込2,198
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 4チャンネル TVSダイオードアレイ, 6-Pin SOT-457 (SC-74) nexperiaNexperia 4チャンネル TVSダイオードアレイ, 6-Pin SOT-457 (SC-74)nexperia
1,798税込1,978
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仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)ピン数 = 6ESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4ESD電圧 = 8kVPRTR5V0Uシリーズ、超低静電容量レールツーレールESD保護ダイオード、Nexperia. 超低静電容量レールツーレール静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められています。 このデバイスは、高速データラインや高周波信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, 120mA, 40V, 2-Pin SOD-323 nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード, 120mA, 40V, 2-Pin SOD-323nexperia
1,298税込1,428
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.1mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200mAショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET, 60 V, 350 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 nexperiaNexperia Nチャンネル MOSFET, 60 V, 350 mA, 3 ピン パッケージSOT-23nexperia
2,698税込2,968
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 350 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 440 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, 5A, 40V, 2-Pin SOD-128 nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード, 5A, 40V, 2-Pin SOD-128nexperia
2,398税込2,638
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 490mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, 5A, 30V, 2-Pin SOD-128 nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード, 5A, 30V, 2-Pin SOD-128nexperia
2,598税込2,858
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 360mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 200 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-89 nexperiaNexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 200 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-89nexperia
759税込835
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 49 nsNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 150mA, 100V, 3-Pin SOT-323 (SC-70) nexperiaNexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 150mA, 100V, 3-Pin SOT-323 (SC-70)nexperia
169税込186
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仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 5.1V, 500 mW, 2-Pin MiniMELF nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 5.1V, 500 mW, 2-Pin MiniMELFnexperia
219税込241
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 215mA, 100V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 215mA, 100V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
259税込285
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仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 75V, 500 mW, 2-Pin DO-35 nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 75V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia
329税込362
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仕様標準ツェナー電圧 = 75V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 255Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 33V, 500 mW, 2-Pin DO-35 nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 33V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia
369税込406
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仕様標準ツェナー電圧 = 33V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 3V, 500 mW, 2-Pin DO-35 nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 3V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia(1件のレビュー)
389税込428
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
Nexperia ツェナーダイオード, 2.4V, 500 mW, 2-Pin DO-35 nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 2.4V, 500 mW, 2-Pin DO-35nexperia
319税込351
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仕様標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -1.6mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMT nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMTnexperia
539税込593
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMT nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMTnexperia
499税込549
1袋(50個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMT nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMTnexperia
599税込659
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMT nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMTnexperia
579税込637
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
1,298税込1,428
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 整流ダイオード, 200mA, 100V, 2-Pin MiniMELF nexperiaNexperia 整流ダイオード, 200mA, 100V, 2-Pin MiniMELFnexperia
559税込615
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仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniMELFダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.7mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 低電圧アバランシェレギュレータダイオード, 5V, 250 mW, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia 低電圧アバランシェレギュレータダイオード, 5V, 250 mW, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
419税込461
1袋(10個)
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = アバランシェツェナー電圧許容性 = 4%ピン数 = 3テスト電流 = 0.25mA最大ツェナーインピーダンス = 700Ω最大逆漏れ電流 = 20μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm標準電圧温度係数 = 0.2mV/℃ツェナーダイオード250 mW、PLVA6xxAシリーズ、Nexperia. 低ノイズRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 15V, 1.3 W, 2-Pin DO-41 nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 15V, 1.3 W, 2-Pin DO-41nexperia
1,298税込1,428
1袋(50個)
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
399税込439
1袋(50個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 225mA, 250V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 225mA, 250V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
439税込483
1袋(25個)
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仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 12 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 12 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
469税込516
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
399税込439
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin UMT nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin UMTnexperia
499税込549
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
399税込439
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
479税込527
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, シリーズ, 200mA, 30V, 3-Pin SOT-323 (SC-70) nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード, シリーズ, 200mA, 30V, 3-Pin SOT-323 (SC-70)nexperia
599税込659
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仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin UMT nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin UMTnexperia
339税込373
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 250 V, 50 mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 250 V, 50 mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
299税込329
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 60 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm高電圧トランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Quad XOR Logic Gate 2-Input CMOS SOIC14 nexperiaQuad XOR Logic Gate 2-Input CMOS SOIC14nexperia
1,798税込1,978
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仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOピン数 = 14動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃長さ = 8.75mm幅 = 4mm高さ = 1.45mm寸法 = 8.75 x 4 x 1.45RoHS指令(10物質対応)対応
NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V, 16-Pin SOIC nexperiaNXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V, 16-Pin SOICnexperia
80税込88
1個
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仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル, シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
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