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Nexperia Nチャンネル MOSFET， 60 V， 350 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
nexperia
￥2,398税込￥2,638
1袋(200個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 350 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 440 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 5A， 40V， 2-Pin SOD-128
nexperia
￥2,298税込￥2,528
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 490mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 5A， 30V， 2-Pin SOD-128
nexperia
￥2,498税込￥2,748
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 360mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 2-Pin SOD-323F
nexperia
￥929税込￥1,022
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 320mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mmピーク逆電流 = 2μAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 400 mA， 3 ピンパッケージSOT-89
nexperia
￥819税込￥901
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 49 nsNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 5.1V， 500 mW， 2-Pin MiniMELF
nexperia
￥179税込￥197
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード，シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥239税込￥263
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 75V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia
￥299税込￥329
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 75V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 255Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin UMT
nexperia
￥719税込￥791
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin UMT
nexperia
￥629税込￥692
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin UMT
nexperia
￥689税込￥758
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥499税込￥549
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin UMT
nexperia
￥759税込￥835
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥799税込￥879
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 整流ダイオード， 200mA， 100V， 2-Pin MiniMELF
nexperia
￥629税込￥692
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniMELFダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.7mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 低電圧アバランシェレギュレータダイオード， 5V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥389税込￥428
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = アバランシェツェナー電圧許容性 = 4%ピン数 = 3テスト電流 = 0.25mA最大ツェナーインピーダンス = 700Ω最大逆漏れ電流 = 20μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm標準電圧温度係数 = 0.2mV/℃ツェナーダイオード250 mW、PLVA6xxAシリーズ、Nexperia. 低ノイズRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥669税込￥736
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 15V， 1.3 W， 2-Pin DO-41
nexperia
￥1,698税込￥1,868
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥499税込￥549
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥579税込￥637
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード，シリーズ， 225mA， 250V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥689税込￥758
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥499税込￥549
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin UMT
nexperia
￥639税込￥703
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥529税込￥582
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥529税込￥582
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥399税込￥439
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin UMT
nexperia
￥279税込￥307
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 250 V， 50 mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥309税込￥340
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 60 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm高電圧トランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Quad XOR Logic Gate 2-Input CMOS SOIC14
nexperia
￥1,598税込￥1,758
1本(57個)
7日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOピン数 = 14動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃長さ = 8.75mm幅 = 4mm高さ = 1.45mm寸法 = 8.75 x 4 x 1.45RoHS指令(10物質対応)対応
NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V， 16-Pin SOIC
nexperia
￥85税込￥94
1個
7日以内出荷
仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル，シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP ABT バッファ非反転， 14ピン SOIC
nexperia
￥82税込￥90
1個
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = ABTロジック機能 = バッファ，ラインドライバチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 64mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.6 ns @ 5 V寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm高さ = 1.45mm74ABTファミリ、Nexperia. アドバンスドBiCMOSテクノロジロジック動作電圧: 4.5 → 5.0 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力TTLRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード，コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 15V， 500 mW， 2-Pin SOD27 (DO-35)
nexperia(1件のレビュー)
￥899税込￥989
1袋(100個)
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD27 (DO-35)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±2 %， ±5 %ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 1 mA長さ = 4.25mm直径 = 1.85mm寸法 = 1.85 (Dia.) x 4.25mmパワー消費 = 500mWツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 2チャンネル双方向 ESD保護ダイオード， 230W， 41V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥66,980税込￥73,678
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP スイッチングダイオード， 200mA， 75V， 2-Pin SOD-323，エレメント数 1，シングル
nexperia
￥20,980税込￥23,078
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 30 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia
￥169税込￥186
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7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ， 60 V， 600 mA， 4-Pin SOT-223 (SC-73)
nexperia
￥479税込￥527
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.15 W最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V汎用PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V， 16-Pin SOIC
nexperia
￥1,898税込￥2,088
1本(50個)
7日以内出荷
仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル，シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP Nチャンネル MOSFET， 60 V， 360 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
nexperia
￥18,980税込￥20,878
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 2.4V， 500 mW， 2-Pin MiniMELF
nexperia
￥469税込￥516
1袋(25個)
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。RoHS指令(10物質対応)対応

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