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仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 900mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 2.7mm幅 = 1.7mm高さ = 1.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様最大連続 順方向電流 = 120mA1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様最大連続 順方向電流 = 500mA1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
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仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Max = +125 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥869
税込￥956
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
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仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.7mm幅 = 2.7mm高さ = 1.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥759
税込￥835
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仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥729
税込￥802
6日以内出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 6Aショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
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仕様最大連続 順方向電流 = 2A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 10V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥829
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Wダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 540mV長さ = 2.8mm幅 = 1.9mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
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仕様最大連続 順方向電流 = 70mA1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 70V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Fダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 410mV長さ = 2.7mm幅 = 1.7mm高さ = 1.2mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
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仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥599
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.1mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200mAショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 490mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 360mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,798
税込￥1,978
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仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥109
税込￥120
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仕様最大連続 順方向電流 = 2A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 420mV長さ = 2.8mm幅 = 1.9mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(30個)
￥1,198
税込￥1,318
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 320mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mmピーク逆電流 = 2μAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,098
税込￥1,208
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥339
税込￥373
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥379
税込￥417
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仕様最大連続 順方向電流 = 2A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 620mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 9Aショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,198
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
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税込￥252
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 850mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mmピーク逆回復時間 = 5.9nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2.5Aショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成：シングル 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOD-123F 、 ダイオードテクノロジー：ショットキー 、 ピン数：2 、 長さ：2.7mm 、 幅：1.7mm 、 高さ：1.2mm 、 動作温度 Min：-55 ℃
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