仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 350 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 440 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
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