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BAT54，215 Nexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

エコ商品

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥339 税込￥373

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PSMN2R7-30PL，127 Nexperia Nチャンネル MOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-220AB nexperia

nexperiaNexperia Nチャンネル MOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,398 税込￥1,538

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BAT54A，215 Nexperia ショットキーバリアダイオード，コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード，コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

エコ商品

仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥169 税込￥186

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BAT54S，215 Nexperia ショットキーバリアダイオード，シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード，シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

エコ商品

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥109 税込￥120

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BC849C，215 Nexperia NPN トランジスタ， 30 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 30 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥119 税込￥131

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BSH103，215 Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 850 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 850 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB)

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 850 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,198 税込￥1,318

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nexperiaNexperia PNP トランジスタ

1袋(20個)ほか

￥289～税込￥318～

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nexperiaNexperia NPN トランジスタ

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￥329～税込￥362～

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nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET

1袋(25個)ほか

￥539～税込￥593～

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nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオードコモンカソード

1袋(25個)ほか

￥289～税込￥318～

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PDTC114ET，215 Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応