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RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥209
税込￥230
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(4個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥199
税込￥219
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥519
税込￥571
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥499
税込￥549
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥569
税込￥626
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥129
税込￥142
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥349
税込￥384
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥6,198
税込￥6,818
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥559
税込￥615
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
￥899
税込￥989
5日以内出荷
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