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1袋(20個)ほか
289 税込318
5日以内出荷から7日以内出荷
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仕様公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 37 V出力電圧 Min = 2.495 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mmTL431シャントレギュレータ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷


仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷



仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
559 税込615
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
609 税込670
翌々日出荷





1袋(20個)ほか
739 税込813
5日以内出荷から7日以内出荷
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仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 17.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 5mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
799 税込879
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 60V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 160W最大ピークパルス電流 = 2.5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mmPESDxxxS2シリーズ、低静電容量単方向二重ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量単方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージSOT23 (TO-236AB)に収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 37V最小ブレークダウン電圧 = 14.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃高さ = 1mmPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
769 税込846
5日以内出荷


1袋(20個)ほか
569 税込626
5日以内出荷から7日以内出荷
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仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
7,798 税込8,578
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
209 税込230
翌々日出荷

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