「xperia 5」の検索結果

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1,998 税込2,198
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nexperia74HC NAND Gate 2 Input TSSOP5
エコ商品
仕様●動作供給電圧 Max:6 V●高レベル出力電流 Max:-2.6mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:135ns●動作供給電圧 Min:2 V●低レベル出力電流 Max:2.6mA 出力方式電流 入力方式CMOS ピン数(ピン)5 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージTSSOP 実装タイプ表面実装 ロジックファミリーHC ロジック機能NAND エレメント数1 ゲートあたりの入力数2 シュミットトリガー入力なし
1リール(3000個)
18,980 税込20,878
7日以内出荷

仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファーチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シュミットトリガー出力タイプ = シングルエンド極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14ns寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(75個)
629 税込692
7日以内出荷


仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 最大パワー消費:500 mW 、 パッケージタイプ:SOD-80C 、 ツェナータイプ:電圧レギュレータ 、 ツェナー電圧許容性:5% 、 ピン数:2 、 最大逆漏れ電流:10μA 、 直径:1.6mm 、 寸法:1.6 (Dia.) x 3.7mm 、 標準電圧温度係数:-2.1mV/℃ 、 ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(2500個)
9,798 税込10,778
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nexperiaDiode NXP BZX84-B7V5
エコ商品
仕様【ツェナー電圧許容性】2%、ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors 長さ(mm)3 幅(mm)1.4 寸法(mm)3×1.4×1.1 タイプ【ツェナー】電圧レギュレータ 電流(mA)【テスト】5 ピン数(ピン)3 ダイオードシングル 最大消費電力(mW)250 エレメント使用本数【1チップ当たり】1 漏れ電流(μA)【最大逆】1 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOT-23
1リール(3000個)
9,698 税込10,668
7日以内出荷


仕様【ツェナー電圧許容性】5%、ツェナーダイオード300 mW、BZX585シリーズ、Nexperia. ツェナー電圧公差 2 % (BZX585-B)、5 % (BZX585-C) 表面実装ケース: SOD-523 長さ(mm)1.25 寸法(mm)1.25×0.85×0.65 タイプ【ツェナー】電圧レギュレータ 電流(mA)【テスト】5 ピン数(ピン)2 ダイオードシングル 最大消費電力(mW)300 エレメント使用本数【1チップ当たり】1 動作温度(℃)+150 漏れ電流(nA)【最大逆】50 RoHS指令(10物質対応)対応 インピーダンス(Ω)【最大ツェナー】15 パッケージSOD-523
1リール(3000個)
18,980 税込20,878
7日以内出荷

仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 最大パワー消費:300 mW 、 パッケージタイプ:SOD-323 、 ツェナータイプ:電圧レギュレータ 、 ツェナー電圧許容性:5% 、 ピン数:2 、 最大逆漏れ電流:50nA 、 長さ:1.8mm 、 寸法:1.8 x 1.35 x 1.1mm 、 動作温度 Min:-65 ℃ 、 ツェナーダイオード300 mW、BZX384シリーズ、Nexperia. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX384-B)、約5 % (BZX384-C) 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76) RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
9,598 税込10,558
7日以内出荷

仕様【ツェナー電圧許容性】5%、ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。 長さ(mm)3.7 寸法(mm)3.7×1.6×1.6 タイプ【ツェナー】電圧レギュレータ 電流(mA)【テスト】5 ピン数(ピン)2 ダイオードシングル 最大消費電力(mW)500 エレメント使用本数【1チップ当たり】1 動作温度(℃)-65 漏れ電流(nA)【最大逆】100 RoHS指令(10物質対応)対応 インピーダンス(Ω)【最大ツェナー】20 パッケージMiniMELF
1リール(2500個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

仕様ロジックファミリー:LVC 、 ロジック機能:バッファ 、 1チップ当たりのチャンネル数:1 、 入力タイプ:CMOS 、 出力タイプ:オープンドレイン 、 極性:非反転 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:5 、 低レベル出力電流 Max:30mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:8.4 ns @ 1.65 V 、 寸法:2.25 x 1.35 x 1mm 、 高さ:1mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
17,980 税込19,778
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仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファーチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-74Aピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns寸法 = 3.1 x 1.7 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
889 税込978
7日以内出荷

仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル, シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1個
54 税込59
7日以内出荷

仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル, シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1本(50個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様ロジックファミリー:HC●入力タイプ:CMOS●出力タイプ:3ステート●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:5●高レベル出力電流 Max:-7.8mA●低レベル出力電流 Max:7.8mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:150 ns@ 50 pF●寸法:2.25 x 1.35 x 1mm●高さ:1mm●動作供給電圧 Min:2 V●74HC1G / 74HC2Gシリーズ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様ロジックファミリー:74AHC 、 ロジック機能:バッファ, ラインドライバ 、 1チップ当たりのチャンネル数:1 、 入力タイプ:CMOS 、 出力タイプ:3ステート 、 極性:非反転 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:5 、 高レベル出力電流 Max:-8mA 、 低レベル出力電流 Max:8mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:14.5ns 、 寸法:2.25 x 1.35 x 1mm 、 高さ:1mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 74AHC1G / 74AHC2Gファミリ、Nexperia. シングル及びデュアルゲートのパッケージ CMOS入力 / CMOS出力 動作電圧: 2 → 5.5 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
18,980 税込20,878
7日以内出荷

仕様ロジックファミリー:LVC●ロジック機能:バッファ●1チップ当たりのチャンネル数:1●入力タイプ:CMOS●出力タイプ:オープンドレイン●極性:非反転●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:5●低レベル出力電流 Max:30mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:8.4 ns@ 1.65 V●寸法:2.25 x 1.35 x 1mm●高さ:1mm●幅:1.35mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(200個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様ロジックファミリー:AHCT●入力タイプ:TTL●出力タイプ:3ステート●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:5●高レベル出力電流 Max:-8mA●低レベル出力電流 Max:8mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:9.5 ns@ 50 pF●寸法:2.25 x 1.35 x 1mm●高さ:1mm●動作供給電圧 Min:4.5 V●74HCT1G / 74HCT2G / 74HCT3Gファミリ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
799 税込879
7日以内出荷


仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 490mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,898 税込2,088
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 360mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,798 税込1,978
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.3 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
419 税込461
7日以内出荷

仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190ns高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 2 V74HC1G / 74HC2Gシリーズ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(30個)
349 税込384
7日以内出荷

仕様ロジックファミリー:74AHC●ロジック機能:バッファ, ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数:1●入力タイプ:CMOS●出力タイプ:3ステート●極性:非反転●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:5●高レベル出力電流 Max:-8mA●低レベル出力電流 Max:8mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:14.5ns●寸法:2.25 x 1.35 x 1mm●高さ:1mm●動作供給電圧 Min:2 V●74AHC1G / 74AHC2Gファミリ、Nexperia. シングル及びデュアルゲートのパッケージ CMOS入力 / CMOS出力 動作電圧: 2 → 5.5 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(30個)
349 税込384
7日以内出荷

仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.2 ns @ 5 V, 3 ns @ 3.3 V, 3.2 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 V74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
399 税込439
6日以内出荷

仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファ, ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.5 ns @ 2.7 V寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
409 税込450
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = アバランシェツェナー電圧許容性 = 4%ピン数 = 3テスト電流 = 0.25mA最大ツェナーインピーダンス = 700Ω最大逆漏れ電流 = 20μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm標準電圧温度係数 = 0.2mV/℃ツェナーダイオード250 mW、PLVA6xxAシリーズ、Nexperia. 低ノイズ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
299 税込329
翌々日出荷

仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファ, ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.3 ns @ 2.7 V寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
429 税込472
5日以内出荷

仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
379 税込417
5日以内出荷

仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
539 税込593
5日以内出荷

仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SC-74Aピン数 = 5ロジックファミリー = LVC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA動作温度 Max = +125 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
729 税込802
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
229 税込252
6日以内出荷


仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 60 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm高電圧トランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
299 税込329
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 830 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 25 pF @ 10 VNチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
399 税込439
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.15 W最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V汎用PNPトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
299 税込329
7日以内出荷

1袋(20個)ほか
449 税込494
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (15種類の商品があります)

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
109 税込120
翌々日出荷