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仕様●最大コレクタ- エミッタ間電圧:20 V●パッケージタイプ:SM●最小DC電流ゲイン:200 (NPN) V, 35 (PNP)●トランジスタ構成:フルブリッジ 高さ(mm)1.6 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数4 最大パワー消費(W)2 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)20 最大DCコレクタ電流(A)2.5 トランジスタタイプNPN + PNP 最大動作周波数(MHz)140
1袋(2個)ほか
639 税込703
7日以内出荷
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1リール(2500個)ほか
99,980 税込109,978
7日以内出荷
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仕様●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 寸法(mm)4.77 x 2.41 x 4.01 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージTO-92 実装タイプスルーホール チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)700 チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA)280 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5 最大ゲートしきい値電圧(V)3.5 トランジスタ構成シングル カテゴリーパワーMOSFET
1セット(2000個)
149,800 税込164,780
7日以内出荷





1袋(20個)ほか
2,298 税込2,528
翌々日出荷から7日以内出荷
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仕様トランジスタタイプ:PNP 、 最大DCコレクタ電流:500 mA 、 最大コレクタ- エミッタ間電圧:300 V 、 パッケージタイプ:SOT-223 、 実装タイプ:表面実装 、 最大パワー消費:2 W 、 最小DC電流ゲイン:50 、 トランジスタ構成:シングル 、 最大コレクタ-ベース間電圧:-300 V 、 最大エミッタ-ベース間電圧:-5 V 、 最大動作周波数:30 MHz 、 ピン数:3 + 1 (Tab) 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 動作温度 Min:-55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
55,980 税込61,578
7日以内出荷


1袋(10個)ほか
919 税込1,011
7日以内出荷
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1セット(25個)ほか
1,998 税込2,198
7日以内出荷
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幅(mm)1.4 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 入力抵抗1KΩ パッケージSOT-23 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50 最大パワー消費(mW)200 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 抵抗比なし 最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3 最大連続コレクタ電流(mA)100 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン100
1袋(200個)ほか
1,598 税込1,758
7日以内出荷
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