「袋 a3」の検索結果

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 790mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 500トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 45 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.5 x 2.5 x 1.5mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 175 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1000 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃mm汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.8 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 140 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA寸法 = 4.77 x 2.41 x 4.01mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ， 330 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.7mm動作温度 Min = -55 ℃mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 70 Vシリーズ = IntelliFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 1.5 Wトランジスタ構成 = シングル幅 = 1.7mm動作温度 Min = -40 ℃mmIntelliFET自己保護式MOSFET、Diodes Inc. IntelliFETは自己保護式MOSFETで、完全な保護回路アレイを内蔵しているため、ESD(静電気に敏感なデバイス)、過電流、過電圧、過熱状態から保護されます。. 短絡保護、自動リスタート機能付き 過電圧保護(アクティブクランプ) 過電流保護 入力保護(ESD) 高連続定格電流 ロードダンプ保護 ロジックレベル入力

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.8mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc