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DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン
DiodesZetex￥29,980税込￥32,9781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 0.85mm。高さ = 0.8mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
DiodesZetex￥87,980税込￥96,7781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
DiodesZetex￥26,980税込￥29,6781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.RoHS指令(10物質対応)対応
