「3v450」の検索結果

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 70ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 140 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.05mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 450 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm高さ = 4.01mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc