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PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 70mAピーク逆繰返し電圧 = 70Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 70mAピーク逆繰返し電圧 = 70Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 790mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 700mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 550mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 700mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

出力電流 = 1.25AAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 1Wパッケージタイプ = TSOT-25ピン数 = 5出力電圧 Max = 65V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1.25A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1mA入力電圧 = 7 → 30 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 1Wパッケージタイプ = TSOT-23-5ピン数 = 5出力電圧 Max = 30V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1.25A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.25A入力電圧 = 6 → 60 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = DC 電圧， PWM最大出力パワー = 1W用途 = 自動車用照明、非常灯、産業用照明、住居照明、SELV照明、標識照明パッケージタイプ = TSOT-25ピン数 = 5出力電圧 Max = 60V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 5000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.25 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA寸法 = 4.77 x 2.41 x 4.01mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 + Tabトランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 2000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.95 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.13 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA幅 = 3.7mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 27V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm標準電圧温度係数 = 23.35mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.7mm高さ = 1.7mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 2最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = ESDサプレッサツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 480Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 0.005%/℃ツェナーダイオード300 mW、AZ23Cシリーズ、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 140 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm高さ = 1mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 7mA最大ツェナーインピーダンス = 21Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.8mm高さ = 1.3mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

アンプタイプ = 低電圧実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353電源タイプ = 単一電源回路数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz標準スルーレート = 1V/μs動作温度 Max = +85 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 1.35mmオペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V最大パワー消費 = 750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 330 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOP電源タイプ = ±2電源， 単一電源回路数 = 2ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±16V動作温度 Max = +70 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 3.95mmオペアンプ、最大供給電圧36 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 230 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 4.77mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 39V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 130Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 10.2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 850 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 330 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc