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DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET30 V 1.8 A、3.1 A 表面実装パッケージSM 8 ピンDiodesZetex

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

5日以内出荷

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ， 330 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.7mm動作温度 Min = -55 ℃mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

RoHS指令(10物質対応)対応

DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET60 V 1.8 A、1.5 A 表面実装パッケージSM 8 ピンDiodesZetex

￥199,800税込￥219,780

1セット(1000個)

5日以内出荷

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、1.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ， 425 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.6mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

RoHS指令(10物質対応)対応

DiodesZetex N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.1 A、4.98 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンDiodesZetex

￥999税込￥1,099

1袋(5個)

5日以内出荷

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.35 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

RoHS指令(10物質対応)対応